RFID技术中的飞思卡尔发布基于高压射频功率技术的ISM设备资源-CSDN文库

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RFID技术中的飞思卡尔发布基于高压射频功率技术的技术中的飞思卡尔发布基于高压射频功率技术的ISM设备设备

飞思卡尔宣布采用新开发的高压射频功率技术，结合经济高效的创新超模压塑料封装，将其射频功率解决方案

扩展至工业、科学和医疗（ISM）市场。新推出的专为HF/VHF频率间隔（10-450 MHz）和2.45 GHz ISM频带

设计的晶体管，将飞思卡尔在技术和封装方面的领导地位延伸到ISM市场。　　50V VHV6 RF LDMOS技术

（第6代高电压射频横向扩散金属氧化物半导体）的开发促成了飞思卡尔的此次扩展。该技术在飞思卡尔广为接

受的28V LDMOS技术基础上将工作电压提高到50V，让设计者能够实现更高的功率，超过当前ISM市场上的产

品的性能水平。此外，该设备还采用了超模压塑料封装，从而提供

　　飞思卡尔宣布采用新开发的高压射频功率技术，结合经济高效的创新超模压塑料封装，将其射频功率解决方案扩展至工

业、科学和医疗（ISM）市场。新推出的专为HF/VHF频率间隔（10-450 MHz）和2.45 GHz ISM频带设计的晶体管，将飞思

卡尔在技术和封装方面的领导地位延伸到ISM市场。

　　50V VHV6 RF LDMOS技术（第6代高电压射频横向扩散金属氧化物半导体）的开发促成了飞思卡尔的此次扩展。该技术

在飞思卡尔广为接受的28V LDMOS技术基础上将工作电压提高到50V，让设计者能够实现更高的功率，超过当前ISM市场上

的产品的性能水平。此外，该设备还采用了超模压塑料封装，从而提供了最经济高效的ISM解决方案。

　　飞思卡尔提供的ISM旗舰产品为MRF6V2300NB，它是功率为300W的50V LDMOS晶体管，其工作频率为450 MHz，采用

TO-272-WB-4超模压塑料封装制造。该设备能够产生27dB的可观增益，效率高达68%。凭借该产品的这种出色性能，ISM系

统的设计者可以消除增益级（gain stages），从而降低总系统成本，减少占用板卡面积。除了出类拔萃的性能以外，该设备

还具有极高的稳定性，其耐用容错性能达到10:1 VSWR。

六款针对ISM的创新产品

　　飞思卡尔正在扩展其产品到两个不同的ISM频率市场：HF/VHF市场和2.45 GHz的ISM频带市场。为了达到10-450 MHz的

HF/VHF频率间隔要求，飞思卡尔提供了三种采用VHV6 50V LDMOS技术的晶体管。这些晶体管包括旗舰产品

MRF6V2300NB、MRF6V2150NB（功率150W，效率69%，增益25dB）及MRF6V2010NB（功率10W，效率68%，增益

25dB）。对于2.45 GHz的ISM频带，飞思卡尔提供三种使用28V LDMOS技术的设备：MRF6P24190H（功率190W，效率

46%，增益13dB）、MRF6S24190H（功率140W，效率46%，增益13dB）和MW6IC2420NB（二级20W，效率21%，增益

21dB）。

产品供货信息

　　上述所有六种ISM设备现在已经提供样品。

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