起因于RTN的SRAM误操作进行观测并模拟的方法

瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声（RTN：RandomTelegraphNoise）的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响，适当设定针对RTN的设计余度。