Ku波段0.18 μm CMOS压控振荡器电路设计

在TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺下设计了一个Ku波段电感电容压控振荡器，该电路采用NMOS交叉耦合型，结合滤波技术降低相位噪声，并利用开关电容阵列为其扩频，使电路获得卓越的性能。后仿真结果表明，该电路实现了10 GHz～14 GHz的宽调频，在整个频带内其相位噪声低于-112 dBc/Hz在1 MHz的偏移处；在1.8 V的电压下，核心电路工作电流为5 mA。