带电黑洞-镜面系统超辐射不稳定性的数值研究

我们以带镜状边界条件的带电黑洞为背景，对带电无质量标量场的超辐射不稳定性进行了数值研究。 我们将数值结果与先前的分析结果进行比较，并显示出该不稳定性与黑洞电荷Q，标量场电荷q和镜半径rm的各种值的相关性。 尤其是，我们已经观察到BQN频率的虚部随着标量场电荷q的增长而迅速增长。