嵌入式系统/ARM技术中的第三代低延时内存被美光科技推出

低延时网络解决方案　　     美光科技（Micron Technology, Inc）今天推出了第三代低延时DRAM （RLDRAM○R 3内存）—一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展，对网络基础设施提出了更高效的要求，以便在线传输大量数据。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。 　　美光的DRAM营销副总裁Robert Feurle说：“随着互联网内容消费的不断增长，人们日益需要有一种能支持网络流量增长的技术，美光的RLDRAM 3内存满足了这种需求”