NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿磁电阻 (2005年)

在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(NM为非磁金属，FI和后面的NI分别为铁磁和非磁绝缘体或半导体)的基础上，提出一种NM/FI/NL/FI/NM新型双自旋过滤隧道结．基于自由电子近似并利用转移矩阵方法，对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结在不同偏压下的隧穿磁电阻TMR与FI层厚度及NI层厚度的关系做了理论研究．计算结果表明，在NM/FI/NI/FI/NM型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值．