论文研究 - 任意单轴应力下硅导带结构和参数的建模与计算

利用k·p理论，研究了Δ1和Δ2′带之间的耦合效应对不同能量谷的能带结构的影响。 建立了适用于任意晶面和取向以及不同能量谷的单轴应力能-色散关系的解析模型。 对于典型的晶体取向，计算了能带结构的主要参数，例如能带边缘能级，分裂能，状态密度（DOS）有效质量和电导有效质量。 计算结果与相关文献报道的数据吻合良好。 最后给出了DOS有效质量，电导有效质量与不同晶面应力和取向变化之间的关系。 所建立的模型和计算结果可为纳米电子器件的设计和TCAD仿真提供理论参考。