论文研究 - 任意单轴应力下硅导带结构和参数的建模与计算

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利用k·p理论,研究了Δ1和Δ2′带之间的耦合效应对不同能量谷的能带结构的影响。 建立了适用于任意晶面和取向以及不同能量谷的单轴应力能-色散关系的解析模型。 对于典型的晶体取向,计算了能带结构的主要参数,例如能带边缘能级,分裂能,状态密度(DOS)有效质量和电导有效质量。 计算结果与相关文献报道的数据吻合良好。 最后给出了DOS有效质量,电导有效质量与不同晶面应力和取向变化之间的关系。 所建立的模型和计算结果可为纳米电子器件的设计和TCAD仿真提供理论参考。

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2020-05-30
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