表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析

表面态对AlGaN/GaN异质结构2DEG影响的模拟分析，杨帆，林哲雄，利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2 dimensional electron gas，2DEG)形成之间的关系，分析施主表面态电离过程�

表面态对AlGaN/GaN 异质结构2DEG影响的模拟分析

表面态对AlGaN/GaN 异质结构2DEG影响的模拟分析，杨帆，林哲雄，该文章主要利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）形成之间的关系，主要分析施主表面态电离过程及�

论文研究-生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性 .pdf

生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性，梅菲，付秋明，本文研究了用射频等离子体援助分子束外延，生长在蓝宝石衬底上的Al0.30Ga0.70N/GaN异质结。20纳米的Al0.30Ga0.70N阻挡层沉积在2微米的半绝缘

论文研究-AlGaN/GaN异质结的微区电性能研究 .pdf

AlGaN/GaN异质结的微区电性能研究，古曦，孙浩明，本文基于扫描探针显微镜(SPM)建立了微区电容的低频测量系统，最小测量电容为30aF，工作频率为20-100kHz。试验测量了SPM导电针尖与金属样

在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统

在对称AlGaN/GaN双量子阱中实现四能级系统，雷双瑛，，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程的方法研究了AlGaN/GaN双量子阱中的子带间跃迁。发现AlGaN/GaN双量子阱中通过加外电场或者调节双量子

高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料和HEMTs器件电学特性的影响

研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性.在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压应力的大小.增加的压应力一方面通过增强GaN层的压电极化电场,提高了AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)面密度,另一方面使AlGaN势垒层对2DEG面密度产生的两方面影响相互抵消.同时,这种AlN插入层的采用降低了GaN与AlGaN层之间的晶格失配,改善了AlGaN/GaN异质结界面特性,有利于减弱界面粗糙度散射,提高2DEG迁移率.利用这种插入层结构的AlGaN/GaN异质结材料研制了栅长为1μm的HEMTs器件,其最大漏电流和最大跨导比常规HEMTs器件分别提高了42%和20%.

使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格作为阻挡层的AlGaN / GaN异质结构的生长和表征

通过金属有机气相沉积（MOCVD）在C面蓝宝石上生长使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格（SLs）作为阻挡层的AlGaN / GaN异质结构。 与传统的硅掺杂结构相比，电性能得以改善。 平均薄层电阻为287.1Ω/ sq。 整个2英寸外延层晶圆的电阻均匀性为0.82％，Al含量为38％。 霍尔测量表明，在室温下二维电子气（2DEG）的迁移率为1852 cm2 / V s，片载流子密度为1.2×1013 cm-2。 均方根粗糙度（RMS）值为0.159 nm，扫描区域为5×5μm2，清晰可见单层台阶。 讨论了性能改善的原因。 ？ 2008爱思唯尔有限公司

Electron mobility in strained wurtzite AlGaN/GaN heterojunctions with finite-thick barriers and its pressure effect

有限厚垒应变纤锌矿AlGaN/GaN异质结中的电子迁移率及其压力效应，武维，班士良，基于力平衡方程，考虑界面和半空间模光学声子对电子的散射，讨论室温及高于室温下，有限厚垒应变纤锌矿氮化物AlGaN/GaN异质结中的电

相邻AlGaN / GaN异质结构中阶梯状各向异性电子散射的理论研究

通过许多实验发现，邻近的AlGaN / GaN异质结构中的电子迁移率是高度各向异性的，这被认为是由邻近的异质界面处的台阶引起的。 但是，由于很难找到所有方向上的电子弛豫时间的通用表达式，因此对这种实验结果没有理论上的解释。 在这项工作中，我们从求解标准的线性化玻耳兹曼方程开始，并将电子弛豫时间分为x和y分量（分别垂直于和平行于步骤）。 以此方式，发现弛豫时间的y分量是无限的，而x分量部分取决于散射势的形式。 随后，我们能够找到各向异性迁移率的解析表达式，并且计算结果与实验值一致。

新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程，针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理，提出了一种降低表面电场，提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷，辅助耗尽二维电子气，有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场，并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低。利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的“虚栅”效应，通过电场和击穿特性分析获得，新结构使器件击穿电压从传统结构的257V提高到550 V。

基于AlGaN / GaN异质结构的三势垒共振隧穿二极管的理论模型

基于AlGaN / GaN异质结构的三势垒共振隧穿二极管的理论模型

质子辐照下AlGaN / GaN异质结构中体陷阱和界面态的表征

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使用大晶格失配感应应力控制技术在Si衬底上生长的高迁移率AlGaN / GaN异质结构

具有低Al含量的AlGaN层的大晶格失配引起的应力控制技术具有用于生长4英寸高品质GaN层。 硅衬底。 这项技术的使用允许电子迁移率为2040 cm2 /（Vs）的高迁移率AlGaN / GaN异质结构电荷密度为8.41012cm2。 应变松弛和位错演化机制有被调查了。 结果表明，低铝含量之间存在较大的晶格失配AlGaN层和AlN缓冲层可以有效地促进边缘位错的倾斜相对较大的弯曲角度，因此大大降低了GaN中的位错密度外延层。 我们的结果显示出低成本和高性能制造的巨大潜力GaN-on-Si功率器件。

A面和C面AlGaN/GaN异质结的比较研究

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600℃退火的AlGaN / GaN异质结构的无金欧姆接触的微观结构和物理机理

600℃退火的AlGaN / GaN异质结构的无金欧姆接触的微观结构和物理机理

AlGaN / GaN异质结构上具有低退火温度的超低接触电阻无金欧姆接触

AlGaN / GaN异质结构上具有低退火温度的超低接触电阻无金欧姆接触

高电场下光照对AlGaN / GaN异质结构电子速度的影响

我们研究了AlGaN / GaN异质结构中电子速度的变化取决于关于照明光的强度和波长。 结果表明，高电子速度下的电子速度在带上光照下，磁场增加。 发现这种电子速度的增强与与热电子相互作用并因此加速的光生冷洞有关高电场下的能量弛豫。 结果表明，有一种替代方法可以改善GaN基异质结构中的电子能量弛豫率和电子速度。

由于AlGaN / AlN / GaN异质结构中的位错和界面粗糙度而导致的迁移率限制

分别通过透射电子显微镜（TEM）和原子力显微镜（AFM）分析了AlGaN / AlN / GaN异质结构中的位错和表面粗糙度，并使用AFM研究了二维电子气（2DEG）中的迁移率限制机制。考虑到最重要的散射机制的理论模型。 指数相关函数比高斯形式更好地描述了表面粗糙度的统计特性，因此在理论模型中被采用。 计算结果与霍尔数据吻合良好。 位错和表面粗糙度的定量测量可以评估每种外在散射机制的相对重要性。