来自AlGaN / GaN异质结构中的偏置二维电子气的宽带太赫兹辐射

所需积分/C币:5 2021-03-03 16:33:36 504KB PDF
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据报道,在6 K下,Al-.GaN / GaN异质结构中的二维电子气(2DEG)漂移引起的宽带太赫兹(THz)发射。 该器件根据史密斯-珀塞尔效应和2DEG中“浅水”等离子体的不稳定性机理设计为THz等离子体激元发射体。 由于未观察到电子密度依赖性等离子体激元模式的特征,因此排除了等离子体激元激发。 相反,发现观察到的太赫兹发射来自加热的晶格和/或热电子。 考虑到空气中的THz吸收和Fabry-Pérot干扰,模拟了热电子的发射光谱,与实验非常吻合。 已经证实,在强平面内电场驱动的类似设备中,不可避免地会遇到类似黑体的太赫兹发射。 得出的结论是,要实现有效的等离激元激发和THz发射,需要进行更精细的设备设计。

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