原子光刻中的原子沉积理论模拟及可视化

原子光刻中的原子沉积理论模拟及可视化，马艳，，通过一个一维的空间模型来模拟实际为二维空间中的原子传播，有效的简化了原子在激光会聚原子沉积过程中的波动方程，并且通过软件

一维原子光刻经典模型的优化

利用蒙特卡罗随机思想选取轨迹初始条件，将铬原子束同位素、纵向速度分布和横向高斯发散角等因素综合考虑，对原子光刻经典粒子模型进行了优化。将优化后的模型与原模型进行了对比，同时定性分析了表面生长效应。利用

基于波前分割法的接近式光刻掩膜版局部优化

基于波前分割法的接近式光刻掩膜版局部优化，潘攀，李木军，针对接近式紫外光刻图形转移中的曝光形状失真问题，采用波前分割的方法对掩模图形上的波前进行区域划分，并利用光场相干叠加相互

增强腔在大失谐原子光刻中的应用

对增强腔在大失谐光场原子光刻中的实现进行了详细的讨论,通过增强腔对激光光束的压缩和功率的增强可达到近共振原子光刻的要求.数值结果显示相对于近共振原子刻印结果,在增强腔下光束中心处沉积的原子条纹宽度将更

论文研究-浸润式光刻工艺中水渍残留的优化 .pdf

浸润式光刻工艺中水渍残留的优化，莫少文，李杨，水渍缺陷，是浸润式光刻工艺所产生的一种特有的缺陷。由于浸润工艺引入了水，所以在曝光时，水时刻存在。但是在曝光的过程中，以

原子光刻用亚稳态氖原子束源的研究

研制了一台用于原子光刻的亚稳态氖原子束源,其束流强度可达3.3×1014 atoms/s?Sr..研究了束流强度的变化规律,并对其机理进行了探讨.

红移高功率大失谐驻波光场原子光刻

研究了红移大失谐驻波光场在高功率的情况下对原子束的聚焦特性,数值结果显示在激光功率较高的情况下,有实现原子光刻的可能.在单线功率输出为P=7W,光斑尺寸为w0=0.1mm的Ar+离子激光束的条件下,C

曝光光学系统性能对光刻性能影响的研究.pdf

投影式光刻机是微电子产业中极大规模集成电路的加工设备。 照明系统和投影物镜系统是投影式光刻机的重要组成部分， 其性能的好坏对光刻成像质量起决定性作用。 研究照明系统和投影物镜系统的性能对光刻性能的影响

108页光刻机行业研究框架-20200622-方正证券.pdf

光刻机作为前道工艺七大设备之首（光刻机、刻蚀机、镀膜设备、量测设备、清洗机、离子注入机、其他设备），价值含量极大，在制造设备投资额中单项占比高达23%，技术要求极高，涉及精密光学、精密运动、高精度环境

超大规模集成电路先进光刻理论与应用.pdf

光刻技术是所有微纳器件制造的核心技术。在集成电路制造中，正是由于光刻技术的不断提高才使得摩尔定律得以继续。本书覆盖现代光刻技术的重要方面，包括设备、材料、仿真（计算光刻）和工艺。在设备部分，对业界使用

光刻机行业研究框架10.pdf

光刻机重中之重，前道设备居首位。光刻机作为前道工艺七大设备之首（光刻机、刻蚀机、 镀膜设备、量测设备、清洗机、离子注入机、其他设备），价值含量极大，在制造设 备投资额中单项占比高达23%，技术要求极高

UV压印光刻刻蚀工艺研究

UV压印光刻刻蚀工艺研究，史永胜，丁玉成，针对UV压印光刻和传统光学光刻不同的技术特点，提出压印光刻刻蚀工艺路线。本文对反应离子刻蚀和感应耦合等离子体刻蚀技术对阻蚀�

论文研究-杂散光对光刻工艺影响的新型监控方法研究与设计 .pdf

杂散光对光刻工艺影响的新型监控方法研究与设计，梅志伟，李海华，杂散光是光学系统中成像光线以外的非成像光线。投影曝光系统中的杂散光对光刻解析度,关键尺寸特性有着重要影响，其影响精确评估��

论文研究-SU-8胶紫外光背面光刻工艺模拟研究 .pdf

SU-8胶紫外光背面光刻工艺模拟研究，吴丹，张恒，本文建立了完整的SU-8胶背面光刻工艺模拟系统，模拟了背面光刻工艺中的曝光、后烘、交联显影过程，其中曝光过程综合考虑了衍射、��

光刻技术概述，中科大内部课程，内容详尽

主要内容： 本课程围绕超大规模集成电路制造中的先进光刻技术，陈 述与之相关的理论、设备、材料、测量与控制等。为了适应当前先进光 刻的需求，本课程会重点讲述在14nm及以下节点广泛使用的计算光刻、 分辨

基于纳米球光刻技术制备金属纳米孔阵列的工艺研究

基于纳米球光刻技术制备金属纳米孔阵列的工艺研究，王朝光，吴学忠，金属纳米孔结构阵列具有特殊的光学特性，在生化检测、太阳能电池及表面增强拉曼散射等方面具有潜在应用。纳米球光刻技术工艺简单

论文研究 - 用于黑色像素光刻图案化的新型粘合剂聚合物的合成定义了有机发光二极管的层

为了改善有机发光二极管（OLED）面板上的黑色像素定义层（PDL）的制造，已经通过使用包含光引发剂，光敏剂，粘合剂聚合物，多功能单体和黑磨粉底料的负性黑色光刻胶来积极发展。 OLED的室外可见性。 含

步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法研究

提出了一种以生产率、剂量精度与激光器使用成本三者最佳匹配为优化目标的步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法及其数学模型,通过将激光器重复频率作为可调参量并引入有效脉冲个数的概念,获得了有效剂量区间内

缺陷及CD对光刻工艺的影响研究

本篇论文的目的是探讨并研究针对目前半导体製程过程中,包含涂佈光阻 (Coating),曝光(Exposure),与显影(Developer),烘烤(Baking)等过程中,所产生 的 Defect 种

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光刻机ASML内部培训资料 介绍芯片的制作流程以及光刻机的部分原理

本资料包含荷兰光刻机厂商ASML的内部培训资料 ，包括介绍芯片的制作过程以及原理，光刻机的使用说明以及原理等等

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SJ制造工艺中光刻对准问题的改进方法，俞乃霖，，本文基于Super Junction(SJ)结构高电压功率半导体，阐述了如何利用光刻工艺形成SJ的特殊结构，分析了其特殊器件结构造成的光刻工艺难点�

压印光刻中压印力与留膜厚保值度的研究

压印光刻中压印力与留膜厚保值度的研究，尹磊，丁玉成，针对压印光刻（IL）工艺实现图章保真复型对阻蚀胶残留膜的厚度和均匀度的要求，对压印固化过程中压印力与残留膜厚度以及残留膜在�

光刻机使用方法，数据参数等等

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高频振动时效消除聚合物AZ4620光刻胶残余应力的研究，杨群峰，张琪，为研究高频振动时效消除AZ4620光刻胶薄膜残余应力的效果，实验首先搭建了用于样品轮廓测量的激光测量装置，组建了电动式高频振动系

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沟槽功率器件的源层光刻工艺研究，周闻天，缪进征，本文主要阐述了沟槽功率器件的源注入光刻层工艺优化的过程及结果，并详细介绍了源注入光刻层工艺变更对各项工艺的影响。基于器件

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超大规模集成电路先进光刻理论与应用.pdf Advanced Processes for 193-nm Immersion Lithography (SPIE Press Monograph Vol.

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