不同薄膜厚度a-C:Fe薄膜的阻变现象研究,周家伟,张淑玮,本文采用直流磁控溅射法生长了不同厚度(50nm, 100nm, 150 nm)的Fe掺杂非晶碳膜(a-C:Fe),并制备了Pt/Al/a-C:Fe/Au/Ti结构的存储单元。采用Raman对薄
评论星级较低,若资源使用遇到问题可联系上传者,3个工作日内问题未解决可申请退款~