通信与网络中的IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET

国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容

IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出全新60、80和100V 的N沟道HEXFET:registered:  MOSF

模电基础最基础的教程了

模电学习的两个重点 凡是学电的，总是避不开模电。 上学时老师教的知识，毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计，《模电》拿起又放下了 n 次，躲不开啊。毕业多年后，回头望，聊聊模电的学习，但愿对学弟

半导体器件物理-施敏

微电子经典之作！ 译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学和半导体性质概要1.1引言1.2晶体结构1.3能带和能隙1.4热平衡时的载流子浓度1.5载流子输运现象1.6声子、光学和热特性1.7

元器件应用中的Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω

Vishay的子公司Siliconix incorporated推出一系列新型-150V和-200V P沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源钳位配置的小型解决方案。 　　这些新型P沟道功率MO

元器件应用中的IR推出沟道型HEXFET功率MOSFET系列

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MO

元器件应用中的Vishay推出业内最低导通电阻N沟道MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的

元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ 2005

安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950

元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ

安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950

元器件应用中的安森美推出24款新的30伏、N沟道沟槽MOSFET

全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET

元器件应用中的IR推出40V汽车级COOLiRFET MOSFET系列

国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR）宣布推出汽车级COOLiRFET MOSFET系列，为重载应用提供基准导通电阻 （Rds（on）），这些应用包括电动助力转向

元器件应用中的飞兆推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电

安森美新型低压沟道MOSFET

安森美半导体（ON Semiconductor）推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)），整体电

元器件应用中的飞兆推出80V N沟道MOSFET器件（图）

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电

元器件应用中的IR基准工业级30V MOSFET提供非常低的栅极电荷

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源|稳压器 (UPS) 逆变器、低压

元器件应用中的Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET

Diodes公司推出两款N沟道MOSFET，为* (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案，极大地降低了电路的复杂性和成本。 　　ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计

元器件应用中的Linear无检测电阻的升压型开关稳压控制器 LTC3814-5

Linear推出无检测电阻（No RSENSE）的同步升压型开关稳压控制器 LTC3814-5，该器件无需中高功率非同步升压型转换器通常所需的升压二极管和散热器。LTC3814-5 可以调节高达 60

元器件应用中的ST推出全新快速恢复MOSFET产品

意法半导体推出快速恢复MOSFET晶体管新产品系列，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 　　STW55

元器件应用中的Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器

元器件应用中的Fairchild推出P沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。

元器件应用中的功率MOSFET场效应管的特点

功率MOS场效应晶体管全称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），简称功率MOSFET，它是

电源技术中的Zetex 推出三款N 沟道增强模式MOSFET

Zetex推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 　　这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封装）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（两者

元器件应用中的安森美半导体推出24款新的高密度沟槽MOSFET

安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL

显示/光电技术中的Diodes推出适合LCD背光应用的新型MOSFET器件

Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列，推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装，具有高功率处理和快速开关功能，可满足

元器件应用中的Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK

电源技术中的国际整流器公司推出新器件为节能AC-DC电源转换器设计

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR11672A SmartRectifier IC。新器件为节能AC-DC电源转换器设计，拥有先进的最小导通时间 (

元器件应用中的ST新推快速恢复MOSFET晶体管STW55NM60ND

意法半导体(ST)推出超结FDmesh II系列快速恢复MOSFET晶体管新产品STW55NM60ND，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同

电源技术中的IR推出为节能AC-DC电源转换器设计智能型整流器

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR11672A SmartRectifier IC。新器件为节能AC-DC电源转换器设计，拥有先进的最小导通时间 (

元器件应用中的Vishay推出采用芯片级MICRO FOOT封装的功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx

元器件应用中的Vishay推出首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容