20 MHz～520 MHz宽带功率放大器的研制

新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料，具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性，在宽带功放的设计中被广泛使用。基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联，匹配电路为集中元件和分布元件混

基于GaNHEMTDoherty宽带功率放大器_程知群

研究了宽带Ｄｏｈｅｒｔｙ功率放大器设计的相关问题．为了拓宽Ｄｏｈｅｒｔｙ功率放大器的带宽，提 出了一种新型负载调制网络．采用ＣＲＥＥ半导体公司的ＧａＮ　ＨＥＭＴ功放管ＣＧＨ４００１０Ｆ，应用新 型负载

GaN打破壁垒—RF功率放大器的带宽越来越宽、功率越来越高.pdf

电信行业不断需要更高的数据速率，工业系统不断需要更高的分辨率，这助推了满足这些需求的电子设备工作频率的不断上升。许多系统可以在较宽的频谱中工作，新设计通常也会有进一步增加带宽的要求。在许多这样的系统中

一种S波段宽带GaN放大器的设计

氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大

2～6 GHz宽带功率放大器模块设计

实现了一款GaN超倍频功率放大器。基于CREE公司型号为CGHV60040D裸芯片，通过对芯片外围键合线和微带线进行建模及电磁场仿真，利用最佳负载阻抗匹配的原理，并借助仿真软件设计优化了宽带匹配网络，

模拟技术中的一种S波段宽带GaN放大器的设计

摘 要： 氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点， 使其具有带宽宽， 高效特性等优点。为了研究GaN 功率放大器的特点， 使用了Ag ilent ADS 等仿真软件， 进行电路仿真设计， 设计制作了一

基于GaN HEMT的S波段的功率放大器设计

采用内匹配技术，使用单胞的电路结构，设计并实现了一款3.8～4.2 GHz的功率放大器。该放大器基于南京电子器件研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电

【功率器件心得分享】+GaN与SiC新型功率器件

1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮镓 （ GaN ） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、

基于模型的GaN PA设计基础知识

对于氮化镓(GaN) 功率放大器，设计师需要考虑非线性操作，包括RF 电流-电压(I‑V) 波形会发生的状况。优化非线性行为设计的一种方法就是仿真内部I-V 波形。本文将为您介绍： · I-V 波形的

模拟技术中的RFMD开始发售可用于多频和宽带的功率放大器RF3822

RF Micro Devices，近日宣布其已开始出货氮化镓（GaN）RF3822 PowerIC宽带功率放大器（PA）至一线军事供货商。RFMD的RF3822 PowerIC提供0.1GHz至1GH

【功率器件心得分享】MACOM GaN在无线基站中的应用

用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基

论文研究-氮化镓（GaN）功率集成技术 .pdf

氮化镓（GaN）功率集成技术，陈万军，周琦，提出一种基于氮化镓（GaN）的功率集成技术, 通过该工艺技术, 能够单片集成功率集成电路所需的功率模块以及控制单元所需的各种低压��

Gan图像生成器-BigGan

丰富的背景和纹理图像的生成是各类生成模型追求的终极目标，ImageNet 的生成已然 成为检验生成模型好坏的一个指标。 在各类生成模型中，GAN 是这几年比较突出的，18 年新出的 SNGAN 、 S

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究.pdf

六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究pdf,功率电子器件，是能源转换和电源管理应用中的核心器件，其主要功能是通过器件的高速开关完成各种电能形式的相互变换，在发电端、输电端以及用电端中起着至

X波段GaN组合固态功率放大器

基于自行开发的具有2.5 mm栅宽技术的AlGaN / GaN HEMT在SiC衬底上，制造了X波段GaN组合固态功率放大器模块，该模块由AlGaN / GaN HEMT，Wilkinson功率耦合器

通信与网络中的一种GaN宽禁带功率放大器的设计

0 引言 　　半导体功率器件按材料划分大体经历了三个阶段。第一代半导体功率器件以Si双极型功率晶体管为主要代表，主要应用在S波段及以下波段中。Si双极型功率晶体管在L波段脉冲输出功率可以达到数百瓦量级

一种GaN宽禁带功率放大器的设计

半导体功率器件按材料划分大体经历了三个阶段。第一代半导体功率器件以Si双极型功率晶体管为主要代表，主要应用在S波段及以下波段中。Si双极型功率晶体管在L波段脉冲输出功率可以达到数百瓦量级，而在S波段脉

基于GaN 器件的平衡式逆F 类功率放大器的研究与设计

针对功率放大器效率低和输入输出端反射损耗较大的缺陷，采用平衡式结构研究了工作于2.6GHz 的逆F 类功率放大器，并基于GaN 器件CGH40010F 设计该放大器验证电路。根据功放管输出寄生参数的等

用于 LTE 微蜂窝和有源天线系统的小型高效GaN Doherty 放大器

本文介绍有关用于LTE 微蜂窝式与有源天线系统式基站应用的小型高效GaN Doherty 放大器。该Doherty 放大器采用TriQuint 半导体公司开发的T1G6001528-Q3 器件，是一种

新一代宽带宽功率放大器设计

在本文中，我们将比较和对比两种不同的宽带高效功率放大器设计技术。一种设计采用一种非均匀分布式放大器拓扑结构，完全集成于一个MMIC之中，其输入和输出匹配至50 Ω。另一种设计采用混合式设计技术，在封装

RFID技术中的采用射频功率放大器驱动器的无线系统实现

目前，已经可以在1.2V 65nm CMOS技术的基础上实现8Vpp和脉冲宽度调制射频高压/大功率驱动器。在0.9到3.6GHz的工作频率范围内，该芯片在9V的工作电压下可向50Ω负载提供8.04Vp

GaN基蓝光半导体激光器的发展.pdf

GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料，GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成熟并投放市场，在光显示上的应用已使颜

基于二次谐波注入的Doherty功率放大器

针对传统Doherty放大器在提高效率后会恶化线性指标的关键问题进行了分析与讨论。提出了一种基于二次谐波注入(SHI)的Doherty结构。采用GaN功率管CGH21240的仿真模型，设计了一款Doh

采用射频功率放大器驱动器的无线系统实现

目前，已经可以在1.2V 65nm CMOS技术的基础上实现8Vpp和脉冲宽度调制射频高压/大功率驱动器。在0.9到3.6GHz的工作频率范围内，该芯片在9V的工作电压下可向50Ω负载提供8.04Vp

GAN代码F GAN图像优化

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氮化镓功率器件(GaN）应用培训.pdf

作为新型功率器件，GaN器件越来越多的得到关注，但是如何很好的应用是关键。

S波段E类功率放大器的设计

开关模式E类功率放大器的理论效率可达100%，可用于天气雷达发射机系统中。采用GaN HEMT器件，设计了一个在2.8 GHz频点下的E类功率放大器，输出功率达到40 dBm，PAE为67%，增益为1

GAN程序matlab仿真

gan代码，可以用于深度学习的学习，是很好用的代码，现分享出来.

CycleGan的源码（TensorFlow）和论文

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