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满足StrataFlash嵌入式存储器要求的LDO应用电路
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2020-11-30
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德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存储器(P30)。这个从J3 到 P30存储器的转变可以使系统在运行中消耗更小的总电流,因为P30 VCC电压需求降低到了1.8伏。英特尔也推荐用一个LDO线性调节器来提供1.8伏的电压基准。 TPS79918的特性 TPS79918 LDO在一个小的封装内提供了外部电气特性。它具有高(大于66dB)电源电压抑
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满足满足StrataFlash嵌入式存储器要求的嵌入式存储器要求的LDO应用电路应用电路
德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需
性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌
入式存储器(P30)。这个从J3 到 P30存储器的转变可以使系统在运行中消耗更小的总电流,因为P30 VCC电压
需求降低到了1.8伏。英特尔也推荐用一个LDO线性调节器来提供1.8伏的电压基准。 TPS79918的特性
TPS79918 LDO在一个小的封装内提供了外部电气特性。它具有高(大于66dB)电源电压抑
德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特
尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存储器(P30)。这个从
J3 到 P30存储器的转变可以使系统在运行中消耗更小的总电流,因为P30 VCC电压需求降低到了1.8伏。英特尔也推荐用一个
LDO线性调节器来提供1.8伏的电压基准。
TPS79918的特性的特性
TPS79918 LDO在一个小的封装内提供了外部电气特性。它具有高(大于66dB)电源电压抑制比(PSRR)、低噪声、快起动
和极好的线荷载瞬态响应。在全负载时,它只消耗40μA的地电流。运行中不需要输入电容。TPS79918是用一个很小的陶瓷
输出电容保持稳定的,用一个高级的BiCMOS制造过程在200mA全输出负载的情况下得到一个110mV的压差。
对于所有负载、线、过程和温度变化,它的精密电压参考和反馈回路达到2%的全精确度。可选降噪电容的增加,提供了
一个极低噪声输出电压。它要求TJ从- 40°C 到 +125°C,有三种封装方式:ThinSOT-23, 晶圆级芯片封装(WCSP), 以及 2×2
SON-6。三种封装方式的不同在于大小和能量消耗。如果我们假设周围温度为60°C,三种封装的能量消耗分别为142 mW,
156 mW,和 526 mW。这分别与最大连续负载电流119 mA, 130 mA, and 438 mA相符合。
图1表明了TPS79918的内部结构图。高电平有效的使能信号在输入电压高于欠压锁定(UVLO)门限时,将器件打开。
UVLO确保输入电压可以得到,输入电压提供了一个干净的开启波形。IC保证电流限和热关断保护,以避免系统出问题。内部
的500 的电阻,以及一个在NR探头上的外部的降噪电容,提供了一个RC滤波器以降低带隙噪声,这就导致了低噪声输出电
压。快启开关最初使电阻短路,以便使开启时间加快到40-μs。在重负载使输出电压降低到一个轻负载的瞬间,由于有超调检
测电路,IC具有很好的瞬态响应。
英特尔英特尔StrataFlash嵌入式存储器嵌入式存储器(P30)的要求的要求
将现有的J3存储器系统转为到新的P30的存储器,需要将现有的3.0V核心电压降低到1.8 V。1.8V的核心电压需要在±0.1V
范围之内调整,这可以通过TPS79918的2%的电压允许偏差来保证。LDO很好的保证了由CE#和OE#的上升沿和下降沿所引
起的负载瞬态量。
图2表明甚至在从1到50mA的负载瞬态变化时,输出电压只降低了40 mV。这个性能满足了P30存储器输入电压的需求。
考虑到系统性能要求,英特尔的操作说明书警告设计者既要考虑备份电流,又要考虑工作电流。图3表明,不像有些
LDO,TPS79918的低静态电流在输入电压和负载电流变化的时候是常数。对于便携式的产品,低静态电流延长了电池的使用
寿命。
weixin_38691256
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