电源技术中的意法微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源|稳压器系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流

元器件应用中的ST推出微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源的能效

意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSF

功率MOSFET并联应用.pdf

功率MOSFET并联时会产生振铃，讲述了其产生原因与抑制方法

MOSFET并联使用注意事项

MOSFET并联使用注意事项-预防寄生震荡引起的损坏,主要是指在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生震荡.

元器件应用中的意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L9

意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSF

元器件应用中的意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L

意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSF

电源技术中的功率MOSFET并联均流问题研究

摘要：对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流

电源技术中的ST新推功率MOSFET系列，采用最新版STripFET技术

意法半导体(ST)推出两款适用于直流-直流转换器的全新功率MOSFET（金属互补氧化物场效应晶体管）产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的

功率 MOSFET的等效电路

功率 MOSFET的正向导通、反向导通、正向截止等效电路，稳态特性总结；包含寄生参数的功率MOSFET等效电路；功率 MOSFET的开通和关断过程原理；因二极管反向恢复引起的 MOSFET开关波形；功

电源技术中的ST推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品

世界领先的功率半导体产品制造商之一的意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)近日推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明

元器件应用中的ST推出全新系列功率MOSFET晶体管适用于设计液晶显示器

日前，意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。 　　STx7N95K3系列为

功率MOSFET管构成的功率放大器电路

功率MOSFET管构成的功率放大器电路 +原理图+论文

ST推出更高能效SuperMESH3功率MOSFET

意法半导体进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术，结合更低的导通电阻

功率MOSFET的特性.pdf

功率MOSFET的特性pdf,本资源主要讲解了绝对最大额定值及电特性、输出静态特性、频率特性、开关特性、输入动态特性、温度特性等相关MOSFET的特性内容。

功率mosfet与高压集成电路

功率mosfet与高压集成电路 375页 7.6M。。

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.pdf

功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过

电源技术中的Vishay推出新型功率MOSFET SiR476DP

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装

电源技术中的安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列，推出18款新计算器件

—全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率

功率mosfet教程

众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率M

TC4426/4427/4428 双高速功率 MOSFET 驱动器

TC4426A/TC4427A/TC4428A 双路高速功率 MOSFET 驱动芯片

电源技术中的安森美拓展功率MOSFET产品系列推出18款新计算器件

安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服

电源技术中的安森美推出小封装功率MOSFET 散热特性面向便携式产品

为了满足业界对更小巧轻薄、更快速、散热更好及性能更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求，安森美半导体　　(ON Semiconductor)日前推出具备良好效能与设计灵活度的功率MOSFET产品μC

电源技术中的安森美推出12款功率MOSFET组件，适用于笔记本电脑等

电源管理解决方案供货商安森美半导体(ON Semiconductor)推出12款新的功率MOSFET组件，针对直流-直流(DC-DC)转换进行最佳化，并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET适用于笔

电源技术中的开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃

功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）整流组件的最佳选择，专用MOSFET驱动器的出现又为优化SMPS

电源技术中的Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率MOSFET

VISHAY推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中，OR-ing功能

基于SiC MOSFET并联的无刷直流电机高功率密度驱动技术研究

基于SiC MOSFET并联的无刷直流电机高功率密度驱动技术研究 ，谭博，赵君，SiCMOSFET具有导通电阻小，开关速度快的特点。在大功率驱动场合，通过其并联可以使导通电阻进一步减小，以提高驱动系统

功率MOSFET安全工作区的确定

本文详细介绍了功率MOSFET安全工作区由哪些指标确定，并介绍了安全工作区怎样确定

电源技术中的Vishay 推出Siliconix PowerPAK ChipFET功率 MOSFET

Vishay推出七款采用新型 PowerPAK ChipFET 封装的 p 通道功率 MOSFET，该封装可提供高级热性能，其占位面积仅为 3mm×1.8mm。 这些新型 PowerPAK ChipF

电源技术中的瑞萨推出新款高频功率MOSFET RQA0010/14

瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）近日宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET，以实现最高功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。

电源技术中的瑞萨用于电池充电器的功率MOSFET

瑞萨用于电池充电器的功率MOSFET Renesas Power MOSFETs for Battery Charger Renesas公司 功率MOSFET应用发展趋势 功率MOSFET有着各种各样