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功率MOSFET管和IGBT管对其驱动电路有如下要求: (1)栅一源驱动脉冲电压的幅值UGS要足够大,为了降低通态电阻或压降,大功率高压MOSFET管和IGBT管功率开关器件的驱动电压要有12~15 V。低压MOSFET也有用逻辑电平4.5 V的。 (2)要防止栅一源之间的击穿,栅一源之间的击穿电压约为50V,但分散性较大,容易击穿损坏。驱动电路的输出电压UGS,一般应小于20V,为此可以用反向耐压约为20V的肖特基二极管钳位来限制过电压。 (3)驱动电压“开路脉冲”的边沿要陡。“开路脉冲”是指漏极开路(不接电压),栅一漏电容CGD不起反馈作用时的测试波形,其上升沿和下降沿
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