通信与网络中的SiGe半导体推出基于硅技术的大功率2GHz无线LAN功放
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2020-11-08
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线线LAN功放功放
SiGe 半导体现已推出 2GHz 无线 LAN 功率放大器 (PA) 模块。型号为 SE2576L 的全新 IEEE802.11bgn 器件，
是业界尺寸最小且效率最高的功率放大器，发射功率为26dBm。SE2576L 瞄准需要大射频 (RF) 发射功率的网
络应用，如家庭影院或数据传输、企业和室外网络，以及公共上网热点，能够提供完整的覆盖范围和更高的链
路预算，实现更快速、更高效的数据传输。 SiGe 半导体 亚太区市场推广总监高国洪表示：“SE2576L的设
计焦点是易于使用和提供最大灵活性。这款 PA 模块可让客户降低开发、验证和认证成本。最重要的是，它可将
Wi-Fi 功能性集成在各种
SiGe 半导体现已推出 2GHz 无线 LAN 功率放大器 (PA) 模块。型号为 SE2576L 的全新 IEEE802.11bgn 器件，是业界尺
寸最小且效率最高的功率放大器，发射功率为26dBm。SE2576L 瞄准需要大射频 (RF) 发射功率的网络应用，如家庭影院或
数据传输、企业和室外网络，以及公共上网热点，能够提供完整的覆盖范围和更高的链路预算，实现更快速、更高效的数据传
输。
SiGe 半导体 亚太区市场推广总监高国洪表示：“SE2576L的设计焦点是易于使用和提供最大灵活性。这款 PA 模块可让
客户降低开发、验证和认证成本。最重要的是，它可将 Wi-Fi 功能性集成在各种尚未具备网络功能的产品中，帮助客户缩短产
品上市的时间。”
大功率 WLAN 连接性面对的挑战是 RF PA。当 PA 在较高 RF 功率级下工作一段时间后，PA 本身的温度往往会升高。随
着 PA 温度的上升，它保持所需 RF 功率级的能力便会下降，这又促使 PA 控制环路提高 RF 功率，从而导致 PA 工作温度进
一步上升。PA 温度上升除了会降低 RF 功率之外，还会减低线性度性能，最终破坏传输数据，并在 Wi-Fi 频率信道附近产生
干扰。
SE2576L 采用硅锗工艺制造，该技术与标准硅工艺基本相同，热导性却是砷化镓 (GaAs) 器件的三倍。SE2576L 集成了
输入匹配电路和外部输出匹配电路，可以针对5V、26dBm 的工作条件调节负载线，从而帮助 SiGe 半导体的客户简化设计、
加快上市速度，并提高产品良率。
SE2576L内置有采用温度补偿的对负载不敏感的功率检测器，动态范围为20dB，在天线端3:1失配条件下，变化小于
1.2dB。SE2576L综合了功率检测器功能和硅锗技术固有散热优势，可在极端温度下保持稳定的性能，适合需要特别注意自身
变热问题的大功率应用。新型WLAN PA还带有数字激活控制功能，并集成了一个参考电压发生器，其典型功率斜坡上升/下降
时间为0.5 μs。
SE2576L 的占位面积和应用板设计与 SiGe 半导体 2GHz 大功率 WLAN PA 系列中的其它器件相同，使得终端用户可以
共享通用电路板设计，并为每款产品选择最佳的 PA。
高国洪总结称：“SiGe 半导体的 SE2576L 为客户提供了满足业界对高集成度、小占位面积 2GHz PA 模块之需求的解决
方案，这些器件能够轻易集成进各种消费电子应用中，以提供Wi-Fi功能。”
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