Vishay推出新型可配置平面变压器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型通用平面变压器 --- Vishay Sfernice PLAC 100，可用于反激式、前向式

电子测量中的Vishay推出新型可配置平面变压器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型通用平面变压器 --- Vishay Sfernice PLAC 100，可用于反激式、前向式

电源技术中的Vishay推出新型高电流密度肖特基整流器

Vishay Intertechnology公司今天宣布推出新系列高电流密度肖特基整流器。该系列产品采取致密封装，额定前向电流高达其它同类产品的三倍，具有高效及节省空间的特点。 　　与工业标准器件相比

电源技术中的Vishay推出新型SMNZ超高精度Z箔四电阻网络

日前，Vishay Intertechnology,Inc.(威世)宣布推出新型SMNZ超高精度Z箔四电阻网络，该器件在0℃～+60℃时具有±0.05ppm/℃的低绝对TCR，在额定功率时具有5ppm

电源技术中的Vishay 推出新型TMBS整流器

Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 Trench MOS 肖特基势垒 (TMBS:trade_mark:) 整流器，其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。 新型 V6

电源技术中的Vishay 推出两款新型高压超快速整流器

Vishay Intertechnology, Inc.在其高压超快速整流器系列中增添了两款新型器件，凭借超快速反向及正向恢复时间以及低正向压降，这两款器件可降低消费类、计算机及工业产品的开关模式电源

电源技术中的Vishay针对新型器件推出新款降压控制器

Vishay Intertechnology宣布推出一款新型高性能三输出降压控制器IC──SiP12203，该组件可在视讯转换盒、基地台、墙壁适配器、消费性电子设备及网络中间总线直流输入电源中实现高效

电源技术中的Vishay推出新型环形高电流高温电感器TJ3-HT

日前，Vishay宣布推出新型环形高电流、高温电感器TJ3-HT。该器件具有业内最高额定及饱和电流以及业内最低电感和DCR。新型TJ3-HT电感器的最高额定工作温度为+200℃，采用环形设计以减少EM

电源技术中的Vishay推出新型8A、600V超快速整流器

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE)在其高压超快速整流器系列中增添了两款新型器件，凭借超快速反向及正向恢复时间以及低正向压降，这两款器件可降低消费类、计算机及工业产品的

电源技术中的Vishay推出新型8A/600V超快速整流器UH8JT

Vishay在其高压超快速整流器系列中增添了两款新型器件，凭借超快速反向及正向恢复时间以及低正向压降，这两款器件可降低消费类、计算机及工业产品的开关模式电源中的功耗。 　　新型 8A、600V UH8

电源技术中的Vishay推出新型功率MOSFET SiR476DP

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装

电源技术中的Vishay推出以高热效率PLCC-3封装的新型高亮度SMD LED

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出全面的功率 SMD LED 系列，由于专门设计有可极大改善器件散热性能的引线框截面，而使其 LED 能提供了出色的亮度。新型 Vi

元器件应用中的Vishay 推出超高电容范围新型HE3液体钽高能电容器

Vishay 推出在市场上所有类似器件中具有最高电容的新型液体钽高能电容器。HE3 采用含 SuperTan 技术的独特封装设计，可在高能应用中提高可靠性及性能。　　Vishay 的 HE3 专门针对

电源技术中的Vishay 推出Siliconix PowerPAK ChipFET功率 MOSFET

Vishay推出七款采用新型 PowerPAK ChipFET 封装的 p 通道功率 MOSFET，该封装可提供高级热性能，其占位面积仅为 3mm×1.8mm。 这些新型 PowerPAK ChipF

显示/光电技术中的Vishay推出基于蓝宝石的新型高强度SMD LED

为满足对白光 LED 日益增长的需求，Vishay 宣布推出基于蓝宝石的新系列高强度白光 SMD LED，这些器件以极低的价格提供了高效的 InGaN 技术。　　这些新型 VLMW41xx系列 SMD

电源技术中的Vishay推出新款硅晶表面贴装RF电容器

Vishay Intertechnology公司今天宣布推出硅晶RF电容器。该技术突破能提高电气性能并极大地缩小手机及其他无线通讯系统电路所需电路板尺寸。 　　以Vishay专有流程制成的新型硅晶电容

元器件应用中的Vishay推出新型Z201超高精度Z箔电阻

Vishay推出业界首款改进型 Z201Z201 超高精度 Z 箔电阻，该器件在 0度～+60度 时具有 ±0.05 ppm/度 的超低 TCR 且在 -55度～+125度 时 TCR 为 ±0.2

元器件应用中的Vishay推出新型高可靠性厚膜功率电阻

Vishay宣布推出一款新型厚膜电阻，该电阻将超低的电阻值与面向电流感应应用的小容差及低TCR进行了完美结合。 　　为在直流到直流转换器、电源、电动机电路、计算机及手机中的电流感应及分流应用提供高稳定

电源技术中的Vishay推出两款超薄高电流IHLP电感器

Vishay公司扩展了其超薄、高电流IHLP电感器系列产品，推出两款电感范围分别为0.1μH～2.2μH(IHLP-2525EZ-05)和3.3μH～10μH(IHLP-2525EZ-01)的两款电感

电源技术中的Vishay新型5W电阻采用小型2818封装

Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出一款新型5瓦Power Metal Strip电阻器，据称该电阻器是业界在小型2818封装中能够提供5瓦功率的首款器件。该新型表面贴

Vishay推出DG469/470新型高压单/双电源单刀双掷模拟开关

Vishay推出两款新型高压单、双电源单刀双掷(SPDT)模拟开关。该DG469和DG470器件是相同的，不同之处是DG470带有启动引脚，该引脚可将所有开关置于高阻抗状态，从而在启动时可保持“安全状

电源技术中的Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET Siliconix 器件

Vishay推出新系列 P 沟道 MOSFET，这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。基于新一代 TrenchFET 芯片技术的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPA

元器件应用中的Vishay推出新型高稳定性薄膜扁平芯片电阻

目前shay Intertechnology, Inc.宣布推出采用七种业界标准尺寸的新型 TNPW e3 系列高稳定性薄膜扁平芯片电阻。 　　Vishay 的新型TNPW e3薄膜扁平芯片电阻专为需

电源技术中的Vishay推出新型表面贴装倒装芯片分压器VFCD1505

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型表面贴装倒装芯片分压器VFCD1505。器件具有低至±0.005%（50 ppm）的容差匹配和高于25000V的静电放电（ES

电源技术中的Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率MOSFET

VISHAY推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中，OR-ing功能

电源技术中的Vishay推出新型Sfernice PRV4面板电位计，具有金属陶瓷元件及2W高额定功率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(威世)宣布推出具有金属陶瓷元件及2W高额定功率的最新小型面板电位计。 　　凭借美国套管螺纹(bushing thread)以及完全密封的

RFID技术中的Vishay推出TSHG5210新型高功率高速850nm红外发射器

Vishay推出采用 5mm 带引线封装的新一代 850nm 红外发射器，从而拓宽了其光电子产品系列。TSHG5210 与 TSHG6210 具有 ±10°视角，而TSHG5410 与 TSHG6x1

电源技术中的VISHAY 的新型光敏可控硅器件

Vishay宣布推出新的光敏可控硅器件系列，该系列光敏可控硅器件具有低于其他供应商产品的 1.6mA 触发器，以及高于 5kV/µs 的静态 dV/dt。采用 6 引脚 DIP 封装的新型过零 (ZC

Vishay推出新型三输出降压控制器SiP12203

日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出一款新型高性能三输出降压控制器IC SiP12203，该器件可在机顶盒、基站、墙壁适配器、消费类电子设备及网络中间总线直流输入电源中

元器件应用中的Vishay推出新型HE3液体钽高能电容器

Vishay推出在市场上所有类似器件中具有最高电容的新型液体钽高能电容器。HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计，可在高能应用中提高可靠性及性能。     Vishay的HE3专门针对高可靠性