InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了In

量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器

对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为选择区域量子阱无序技术）应用于脊形波导I

大功率980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器热特性

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器, 测试了含铝的InGaAs/GaAs/AlGaAs和无铝的In

InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究

利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW)，通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明，

MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术，在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析，讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度

论文研究-MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点 .pdf

MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点，周清，刘珂，用分子束外延（MBE）设备以Stranski?Krastanov (S-K) 生长模式，通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂

InGaAs/GaAs量子点类脊型激光器的激射特性

用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构,并研制出量子点激光器.研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构之间的关系,结果表明激光器的阈值电流密度依赖于量子点的结构.通

Light Storage and Retrieval with a Tunable Voltage in Vertically Coupled InGaAs/GaAs Quantum Dots.

竖直偶联的InGaAs/GaAs量子点中，基于电压调控的光的储存与释放。，李金金，朱卡的 ，我们在理论上提出了在竖直放置的砷化铟/砷化镓链子点中通过电压的调控可实现停光现象。根据电磁诱导透明，通过电压

高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器

采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法成功地研制了具有两对梯度折射率(GRIN)异质结结构的InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器。该激光器的波长为970～982nm,室温连续工作阈值电流

InGaAs/AlGaAs单量子阱激光器低阈值激射

研究了用MOCVD方法生长的InGaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)激光器阈值、温度依赖特性及光增益谱。在300 Κ下2000 μm腔长的激光器的激射阈值电流密度为200 A/cm2。在250 Κ

980 nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件

利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15 mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150 mW,基

High-strain InGaAs/GaAs quantum well grown by MOCVD

High-strain InGaAs/GaAs quantum wells (QWs) are grown by low-pressure metal-organic chemical vapor d

Improvement of InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers by post-oxidation annealing

InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are fabricated by a thermal selective w

InGaAs/InP单光子探测器暗计数特性研究

InGaAs/InP单光子探测器暗计数特性研究，朱武，马海强，暗计数是影响单光子探测器性能的重要因素，对单光子探测器的制造和使用有着深远的影响。本文分析了暗计数产生的原因，以及对量子

论文研究-InGaAs/InGaAsP/Si SAGCM-APD的频率响应分析 .pdf

InGaAs/InGaAsP/Si SAGCM-APD的频率响应分析，陶彦耘，黄辉，本文从载流子浓度连续性方程出发,利用矩阵代数的分析方法,分析器件每层结构的响应特性，从而推算出InGaAs/InGa

低阈值量子结构激光器的优化结构设计

针对低阈值半导体量子结构激光器(简称量子结构激光器)，包括量子阱、量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载

光抽运垂直外腔面发射激光器的增益特性数值模拟

为了深入研究光抽运垂直外腔面发射激光器的增益特性，以InGaAs/GaAs应变量子阱系统为例，建立了将带隙、带边不连续性计算和带结构计算系统结合起来的完整体系，考虑在应变影响下能带及波函数的混合效应。

耦合波导结构量子阱激光器的理论设计与分析

报道了一种具有垂直集成无源波导的耦合波导结构量子阱激光器的理论设计,它可以使垂直结平面方向的远场光束发散角得到有效的降低。通过数值计算分析,详细研究了结构参数对远场及阈值电流密度等的影响。结果表明,只

基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关

基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关

InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列

用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器一维线阵列,然后再串联组装成二维阵列,在1000 μs的输入脉宽

InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器的优化设计

针对较常用的InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器, 给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为1.55 μm的无应变激光器, 最佳的光限制层波长为1.24 μm, 厚度为100 nm

光抽运半导体激光器增益特性研究

以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,数

双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究

研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件，获得了室温光致发光1391~1

基于1.5 GHz多次谐波超短脉冲门控InGaAs/InP雪崩光电二极管的近红外单光子探测技术研究

提出了一种高速门控盖格模式的铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管（InGaAs/InP APD）单光子探测技术。将1.5 GHz多次谐波超短脉冲加载到InGaAs/InP APD上，盖革模式下的光生雪崩信号埋藏

用于高速量子密码系统的1.25 GHz InGaAs/InP单光子探测器的研制

随着量子密码领域的快速发展，近红外单光子探测器的研究已经成为该领域的研究重点和技术制高点。报道了一种基于正弦门控与滤波技术的InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)高速单光子探测器，门控频率达到1

SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成

成熟的CMOS 技术可制备无源光学器件，但高效光源和高性能光探测仍需要III~V 族半导体材料。综述了近期III~V 族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术，按

2×8低噪声InGaAs／InP APD读出电路设计

0 引言 　　在红外通信的1 310～1 550 nm波段，高灵敏度探测材料主要有Ge—APD和InGaAs／InP APD，两者相比较，InGaAs／InP APD具有更高的量子效率和更低的暗电流噪

Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE

InGaAs/GaAsP strain-compensated multiple quantum wells (SCMQWs) and strained InGaAs/GaAs multiple qu

外腔面发射激光器中纳米结构的热导率

优化有源区的量子结构和改善热管理，是提高外腔面发射激光器输出功率的关键。以上两项措施都基于对激光器准确的热分析，依赖于热导率这一关键的材料参数。鉴于外腔面发射激光器中多量子阱和分布布拉格反射镜均为典型

DirectX修复工具V4.0增强版

DirectX修复工具(DirectX Repair)是一款系统级工具软件，简便易用。本程序为绿色版，无需安装，可直接运行。 本程序的主要功能是检测当前系统的DirectX状态，如果发现异常则进行修复