电源技术中的Fairchild推出互补型40V MOSFET改进LCD设计


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飞兆半导体推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化,是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比,双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外,FDD8424H在单一封装中集成了一个P沟道高端MOSFET和一个N沟道低端MOSFET,因而容许器件内共漏连接,从而简化电路板布局并缩短设计时间。 飞兆半导体通信
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2020-11-29
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飞兆半导体推出推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H
2020-12-02飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间
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飞兆推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H
2020-12-06飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间
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电源技术中的飞兆半导体互补型40V MOSFET优化逆变器设计
2020-11-27飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H,采用双DPAK封装,提供业界领先的散热能力,有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降
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电源技术中的Fairchild推出全新高效N沟道MOSFET系列产品提供高达8kV的ESD电压保护
2020-11-29飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列,提供高达8kV 的ESD (HBM) 电压保护,较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系
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电源技术中的Fairchild 推出功率器件解决方案
2020-12-05飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新Stealth:trade_mark: II 和 Hyperfast II二极管技术,作为其专为LCD TV开关电源 (SM
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EDA/PLD中的Fairchild小尺寸互补对称MOSFET
2020-12-09飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案,为微型“点”功率应用和负载点 (POL) DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流
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元器件应用中的Fairchild推出WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
2020-11-10飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ,该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTr
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飞兆推出11种面向电机控制应用的新型30/40V MOSFET器件
2020-11-25飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 扩充其AEC-Q101认证的30V和40V MOSFET产品系列,推出11种新型器件。这些低压PowerTrench:registe
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电源技术中的Fairchild推出最小的5V/30mA升压转换器
2020-11-25飞兆半导体宣布针对设计人员空间受限的移动和超便携式产品,推出超小型升压转换器解决方案FAN5665。这是高效率的5V/30mA自适应电荷泵升压转换器,采用薄型及紧凑的1.21mm X 1.21mm W
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电源技术中的FAIRCHILD 推出1200V/15A NPT-Trench IGBT
2020-12-09飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出1200V/15A NPT-Trench IGBT,能够在电磁感应加热 (IH)电器中耐受高达300mJ的雪崩能量;这种出色
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元器件应用中的Fairchild推出超紧密薄型封装高性能MicroFET MOSFET系列产品
2020-11-07飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出采用超紧密薄型封装的高性能MicroFET MOSFET系列产品,能够满足可携式产品设计人员对于效率更高、外形更小更薄的解决方案
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电源技术中的Fairchild推出面向便携式应用SC-75封装MicroFET电源开关
2020-12-05Fairchild推出两款MicroFET电源开关FDMJ1023PZ和FDFMJ2P23Z,可以用于低功耗(<30V)的应用,如充电、异步DC/DC以及负载开关中。这两款电源开关可以工作在低至
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电源技术中的Fairchild 推出双电源双向电平转换器
2020-12-05飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出市场上首款双电源双向电平转换器FXL2TD245,可在两个逻辑电平之间配置单向和独立的双向电压变换。除了在多种低压应用中为设计人员提供无与伦比的设计灵活性外
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电源技术中的飞兆40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141出炉
2020-11-24飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少达一半。F
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元器件应用中的Fairchild推出P沟道MOSFET器件
2020-11-29飞兆半导体公司 (Fairchild) 推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P,可为各种低压 (<20V) 便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。
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电源技术中的FAIRCHILD针对紧凑型荧光灯推出最高集成度镇流器IC
2020-12-07飞兆半导体推出专为紧凑型荧光灯 (CFL) 设计而开发、市面上集成度最高的镇流器IC产品FAN7710。采用“系统级封装”方案,FAN7710能在优化性能的同时简化设计并克服了CFL照明应用中面对空间
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电源技术中的Fairchild 推出集成式PFC控制器
2020-12-09为了满足当前设计工程师所面对的严格的绿色标准要求,飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出一款功率因数校正 (PFC) 控制器IC,能在笔记本电脑适配器等低于250W的
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电源技术中的Fairchild推出高压栅极驱动器(HVIC)IC FAN7371
2020-12-05Fairchild半导体推出高压栅极驱动器IC(HVIC) FAN7371,具有4A电流驱动能力,确保了在消费类和工业应用中杰出的系统可靠性和空间优势。该器件具有宽高栅极驱动范围,负VS摆幅达-9.8
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电源技术中的飞兆推出最小尺寸MOSFET器件,持续电流突破1A
2020-11-29飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件——FDC6020C,为微型“点”功率应用和负载点(POL) DC/DC开关转换器设计提供高于1A
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电源技术中的Fairchild 的30V同步降压芯片组
2020-12-13飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出同步降压转换器芯片组,其设计特别利用最新的 IMVP (英特尔移动电压定位) 技术规范,在笔记本电脑中优化效率和空间。通过飞兆半
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电源技术中的Fairchild推出超薄MLP封装集成式升压转换器
2020-11-30飞兆半导体推出新型高频率集成升压转换器FAN5336,可让设计人员获得87%的系统效率、低EMI和节省电路板空间,广泛适用于小型LCD偏压和白光LED背光照明设计。这款1.5MHz开关频率的升压转换器
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电源技术中的Fairchild 高压SuperFET产品
2020-12-09飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出8款新型高压SuperFET:trade_mark: MOSFET器件,专为高效的高压、快速电能转换应用而设计,例如有源功率因数
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电源技术中的飞兆针对便携应用推出MOSFET器件FDZ391P
2020-11-15为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用1×1.5×0.4mm WL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P
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显示/光电技术中的Fairchild推出LCD背光系统用CCFL背光逆变器驱动IC
2020-11-24FAIRCHILD半导体推出高集成度背光CCFL背光逆变器驱动IC,可以节约空间和成本,优越的系统可靠性和简化设计可用于N-N半桥、推挽以及P-N全桥LCD背光逆变器设计。FAN7316和FAN731
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显示/光电技术中的Fairchild推出绿色FPS功率开关提高电源设计效率并减小E
2020-12-01飞兆半导体公司 (Fairchild SEMIconductor) 推出新款绿色 FPS产品FSQ0765R 和 FSQ0565R,协助设计人员获得更高的效率,以满足全球各地严苛的能效标准、低待机功耗
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电源技术中的飞兆半导体新型平面型MOSFET适用SMPS和DC/DC设备
2020-12-13飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)已推出七种新型高电压平面型MOSFET,具有更低的导通电阻、更低的门电荷值及更高的雪崩和转换模式能量密度。 这些MOSFET专用于满足
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元器件应用中的飞兆扩充其低压MOSFET产品系列 推出11款新型器件
2020-11-29飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩充其AEC-Q101认证的30V和40V MOSFET产品系列,推出11种新型器件。这些低压PowerTrench MOSFET专为优
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元器件应用中的飞兆推出80V N沟道MOSFET器件
2020-11-29飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电
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反激开关电源设计指南-AN-4137SC-中文-仙童
2012-01-10反激开关电源设计指南,中文资料,FAIRCHILD,采用FPS的反击式隔离AC-DC开关电源设计指南
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Fairchild IPM电机驱动设计指南和技术说明书参考设计
2019-03-17电机驱动模块设计手册,详细的描述了仙童IPM的技术指标和运用场合
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