后退火对原子层沉积ZnO沟道/ Al2O3-介电薄膜晶体管电学特性的影响

后退火对原子层沉积ZnO沟道/ Al2O3-介电薄膜晶体管电学特性的影响

弯曲晶体中平面沟道对高能带负电粒子束偏转效率的能量依赖性

对弯曲晶体中高能带负电粒子的平面通道化进行了研究。 确定原子势的Doyle–Turner近似中的平面沟道的临界半径值。 找到了最大角度，在一定角度下，通过弯曲晶体中的平面通道，给定比例的光束粒子可以偏转，该角度取决于粒子能量。 我们确定了在当前和未来的高能加速器（例如SLAC，MAMI，ILC或μ子对撞机）中通过在弯曲晶体中进行平面沟道来实现带负电荷粒子束偏转的平面沟道的理想参数。

论文研究-亚10nm技术代垂直沟道围栅纳米线器件多阈值设计 .pdf

亚10nm技术代垂直沟道围栅纳米线器件多阈值设计，陈珙，黎明，本文提出了一种针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管的多阈值调节技术，通过TCAD（计算机辅助设计软件）仿真手段将非对称halo（环状�

论文研究-沟道层金属成分对In-Zn-O薄膜晶体管器件性能影响研究 .pdf

沟道层金属成分对In-Zn-O薄膜晶体管器件性能影响研究，姚绮君，李曙新，采用脉冲等离子体沉积技术制备和研究了铟锌氧化物薄膜晶体管。具有优良薄膜晶体管性能的器件其场效应迁移率大于15 cm2/Vs以上，开关

N沟道和P沟道CMOS管工作原理

CMOS开关管的工作原理，N沟道MOS管和P沟道MOS管的区别。

N沟道MOS管和P沟道MOS管.pdf

N沟道MOS管和P沟道MOS管pdf,MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。

核电荷沟道长度与粒子电荷征象无关的实验证据

在相干相互作用下，粒子与晶格发生相关的碰撞，并且它们的运动导致局限在原子平面的场中，即粒子通道化。 除了与晶格相干相互作用之外，粒子还与单个原子核发生不相干相互作用，并且可能离开其有限运动，即它们脱通道。 后者是相干相互作用在晶体辅助粒子控制中应用的主要限制因素。 我们在欧洲核子研究组织（CERN）的H4-SPS外部线路上实验研究了弯曲的硅晶体中120 GeV / c e-和e +的去沟道现象。 我们发现，尽管e-（2±2％）和e +（54±2％）的通道效率显着不同，但它们的核去通道长度却相当，e-和（0.7±0.3）mm（0.6±0.1）mm mm对于e +。 正电子和电子的核去沟道长度相等的实验证明，是根据原子核中沟道粒子的带电性质（无论它们的电荷）来解释的。

浅埋煤层地表沟道采动裂缝溃水量预测方法研究

浅埋煤层地区煤炭资源开发受多种水患因素影响，在地表剥蚀严重的沟谷区，更是受采动地表裂缝溃水水患的严重威胁。但现实中矿井地表沟道裂缝溃水数据较难获取，数据量较少，难以形成对沟道裂缝溃水及各主要影响因素较为准确和系统的认识。为了研究浅埋煤层矿井地表沟道裂缝溃水规律及各主要控制因子的影响程度，根据地表沟道裂缝溃水的主要控制因素，自行设计建造了地表沟道裂缝溃水实验平台。该实验平台能够对影响矿井地表沟道溃水的几项主要影响因子进行控制调节，观察不同控制因素对溃水量的影响程度，可解决实际溃水数据量较少难以进行溃水规律研究的问题。根据裂缝溃水实验数据结果分析了影响地表沟道裂缝溃水的水流流量、裂缝缝宽、坡降等影响因素与沟道裂缝溃水量之间各自的二元关系，发现沟道裂缝溃水水量与裂缝宽度成线性正相关关系，与沟道水流流量呈1/2幂指数关系，与沟道坡降的倒数呈对数关系。在此基础上，建立了单宽渠道单条裂缝溃水量与裂缝宽度、水流流量及沟道坡降之间的数学模型，推导出了实际地表沟道采动裂缝溃水量计算公式。实际应用证明，所推导的公式能够比较准确的进行矿井地表沟道裂缝溃水量预测。该项研究成果为浅埋煤层采动地表沟道裂缝溃水量预

千瓦级连续激光二极管面阵及微沟道冷却组件

千瓦级连续激光二极管面阵由30个40 W的808 nm连续激光二极管条组成,按要求排列成5×6矩阵,发光孔径12 mm×70 mm。每个激光二极管条安装在微沟道冷却封装组件上,依靠高压冷却水通过微沟道维持连续运行。面阵的30个二极管条的电路串联,冷却水道并联,恒流电流50 A时,发射连续1060 W,808 nm波长的激光,平均功率密度126 W/cm2。5个K型热电偶安装在面阵不同位置测量激光二极管底部附近硅热沉的温度随耗散热功率的增加, 面阵整体热阻的测量值为0.009 ℃/W。千瓦级连续面阵可用于抽运大功率固体激光器,也可用于材料表面热处理。

android 拨号器 短信 通讯录

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论文研究-基于微波退火技术制备的高性能短沟道金属源漏Ge pMOSFET .pdf

基于微波退火技术制备的高性能短沟道金属源漏Ge pMOSFET，赵毅，，采用了微波退火技术制备得到了高性能的超浅NiGe/n-Ge肖特基结，并研究探讨了不同退火技术对肖特基结电学性能的影响。实验结果表明，

N沟道增强型MOS管结构示意图

本文主要讲了N沟道增强型MOS管结构示意图，希望对你的学习有所帮助。

具有两个沟道层的GaN / InAlGaN的新型高性能GaN基HEMT

报道了具有两个沟道层的GaN / InAlGaN的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的潜在影响。 使用二维和双载流子器件仿真，我们研究了器件性能，重点是电势，电子浓度，击穿电压和跨导（gm）。 而且，将结果与AlGaN / GaN HEMT的结构进行了比较。 我们的仿真结果表明，所提出的结构增加了电子浓度，击穿电压和跨导。 并减少泄漏电流。 同样，InAlGaN中铝的摩尔分数也经过了优化，以创建性能最佳的器件。

露天矿采矿生产中合理选择固定沟道位置的理论研究

露天矿采矿生产过程中,建立沟道的目的是用于建立运输系统的联系。生产实际中建立沟道一般讲究的只是基本合理,很少有精细化的设计。通过理论与实践的研究,借助采区边界的几何形态,优化固定沟道的位置,建立一种有条件时的科学合理的建立沟道的模式。

P沟道MOS管技术文档（英文文档）

AOD409/AOI409 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

存在核散射时横向能量中沟道颗粒扩散的定量理论和对沟道长度的直接评估

建议考虑到原子核的大角度散射，提出了一种在横向能量中引导粒子扩散的精确方程。 该方程式简化为Sturm–Liouville问题，使人们可以揭示去通道长度概念的起源和局限性。 对于各种能量的带正电和带负电的粒子，都要评估后者的值。 还揭示了带正电粒子的去通道动力学的新特征。 首先，证明了沟道长度的概念对于它们的核沟道过程完全不适用。 其次，带正电粒子的有效电子脱沟道长度变化超过两倍，仅在超过后者的深度会收敛至恒定的渐近值。

沟道区土地整治前后土壤养分特性研究

沟道区土地整治前后土壤养分特性研究，胡雅，韩霁昌，通过对沟道区土地整治前后土壤养分垂直分布特征和水平分布均匀性的分析，评价了整治前后土壤养分分级，提出养分管理对策。结果表

N沟道mos管工作原理

本文图文结合的讲了N沟道mos管工作原理，下面一起来学习一下

用于热原子束的消色差原子透镜的研究

研究了与钠原子束斜交的激光束所构成的消色差原子透镜的聚焦特性,计算结果表明,由于色差得到一定程度的修正,沟道化钠原子的条纹宽度减小了一半,且信噪比得到了显著的提高。