通信与网络中的一种GaN宽禁带功率放大器的设计

0 引言 　　半导体功率器件按材料划分大体经历了三个阶段。第一代半导体功率器件以Si双极型功率晶体管为主要代表，主要应用在S波段及以下波段中。Si双极型功率晶体管在L波段脉冲输出功率可以达到数百瓦量级，而在S波段脉冲功率则接近200W。第二代半导体功率器件以GaAs场效晶体管为代表，其最高工作频率可以达到30～100 GHz。GaAs场效应晶体管在C波段最高可输出功率接近100W，而在X波段则可达到25 W。第三代半导体功率器件以SiC场效应晶体管和GaN高电子迁移率晶体管为主要代表。同第一代、第二代半导体材料相比，SiC和GaN半导体材料具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速率以及抗辐射