痕量变形SU（3）Yang-Mills理论中的θ依赖性：晶格研究

在本文中，我们通过数值晶格模拟研究了在S1×R3上定义的痕量变形SU（3）Yang-Mills理论的拓扑性质。 更精确地，我们针对晶格间距和压实半径的不同值，评估了该理论的拓扑敏感性和b2系数（与拓扑电荷分布的第四累积量有关）。 在所有情况下，我们发现结果与R4的标准SU（3）Yang-Mills理论的相应结果吻合良好。