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在自旋-0 s通道暗物质(DM)简化模型的框架中,我们重新评估了与大型夸克相关的未来大型强子对撞机运行对DM生产的敏感性。 我们考虑两个不同的缺失横向能量(ET miss)特征,即与att¯$$ t \ overline {t} $$对或顶夸克和W玻色子相关的DM的产生,后者的通道尚未 在进行这项工作之前,需要进行专门分析的重点。 研究了具有两个轻子的最终状态,并制定了同时考虑两个通道的现实分析策略。 与其他现有搜索策略相比,拟议的tt + ET错失$$ $$ t \ overline {t} + {E} _T ^ {\ mathrm {miss}} $$和tW + ET错失产生的组合显着改善了 spin-0 s信道DM简化模型的参数空间。
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