NTD70N03R的技术参数的技术参数
产品型号:NTD70N03R源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.600最大漏极电流Id(on)
(A):70通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:70A,25V功率MOSFET价格/1片(套):¥5.70
产品型号:NTD70N03R
源漏极间雪崩电压VBR(V):25
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5.600
最大漏极电流Id(on)(A):70
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
描述:70A,25V功率MOSFET
价格/1片(套):¥5.70
评论0
最新资源