基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

所需积分/C币:20 2020-08-11 15:47:37 121KB PDF
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基于0.35μm工艺,考虑低压和低功耗,设计了一个工作频率为4.2GHz的VCO,并在该电路中分别采用积累型MOS电容和反型MOS电容进行调谐。仿真结果表明,两种VCO调谐范围与中心频率几乎相同,在功耗约为10mW的情况下,积累型MOS调谐的VCO表现出更好的相位噪声性能。

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