Cd3As2最近被确定为一种新型的三维(3D)拓扑半金属,拥有长期追求的3D Dirac Fermion。 通过改进的化学气相转移生长方法获得了沿[100]和[112]方向优先生长的Cd3As2晶体,因此可以研究传输各向异性。 在2-300 K的测量温度范围内,电阻率和磁阻(MR)相对于磁场(H)基本上是线性的,与方向无关。 线性电阻率和MR不仅沿[100]和[112]方向显着各向异性,而且相对于生长方向和H之间的倾斜角也显着各向异性,因此提供了3D Dirac Fermion的传输特征以及可能的线性和各向异性Weyl Fermi表面在H中的变化。观察到沿[100]方向非常大的MR,甚至在2 K和14 kOe(1 Oe = 79.5775 A m(-1))时接近3100%。 该结果将有助于重新引起人们对研究由大量3D Dirac Fermion引起的新兴现象的兴趣,并为Cd3As2在磁电子传感器中的使用铺平道路。