硅太阳能电池的效率直接与其基础中光生载流子的数量有关。 它随着太阳能电池底部载流子数量的增加而增加。 太阳能电池底部的载流子密度随穿过太阳能电池的光子通量的增加而增加。 用于增加太阳能电池的被照射侧上的光子通量的方法之一是增强照明光。 然而，光的增强伴随着由热释放，载流子之间的碰撞，由于载流子浓度梯度电场引起的制动而释放的能量的增加，载流子浓度梯度电场导致太阳能电池底部的温度升高。 这项工作提出了3D研究，即在强光照射下温度对多晶硅太阳能电池电子参数的影响。 我们用来分析温度效应的电子参数是：太阳能电池载流子（电子和空穴）的迁移率，它们的扩散系数，它们的扩散长度以及它们在基体中的分布。 为了研究温度对电子参数的影响，我们考虑了载流子（电子和空穴）迁移率与温度（μn，（T）μp（T））的关系。 然后，作为载流子梯度电场和载流子迁移率的函数的连续性方程的分辨率导致了扩散系数，扩散长度和载流子密度随温度变化的表达式。 然后，我们研究了温度对扩散参数的影响，以解释它们对基极深度中多个位置处的中间，短路和开路工作模式下载流子分布行为的影响。 通过该研究表明，扩散系数和扩散长度随着温度的升高而减小
