plasma etching 2

Plasma processing. Advantages and disadvantages compared to wet etching. Lithography process. Overview of oxygen plasma etching. Qualitative description of Debye shielding. Description of glow discharge. Reactive ion etching versus plasma etching. RF matching.

嵌入式系统/ARM技术中的DScreen研制出晶圆端面的高精度蚀刻清洗技术

据报道，日本DAINIPPON SCREEN MFG的半导体设备公司开发出了高精度清除附着于晶圆斜面（端面及其邻接倾斜部分）的金属膜的蚀刻清洗技术“Bevel Etching Chamber（BEC）”。通过采用新的晶圆夹紧装置和处理方法等，改进了斜面部分的蚀刻工艺。       通过提高晶圆定位的精确度，可以在距离端面1～3mm的范围内以0.1mm单位控制蚀刻宽度。由于蚀刻的宽度便于更改，因此还能够灵活应对规格所容许的晶圆直径偏差。同时，通过进一步追求晶圆处理的均匀性，可提高每片晶圆的生产效率以及蚀刻工序的成品率。 　　DScreen简介： 　　DScreen制造株式会社从事制造及销售电子设

DScreen研制出晶圆端面的高蚀刻清洗技术

据报道，日本DAINIPPON SCREEN MFG的半导体设备公司开发出了高精度清除附着于晶圆斜面（端面及其邻接倾斜部分）的金属膜的蚀刻清洗技术“Bevel Etching Chamber（BEC）”。通过采用新的晶圆夹紧装置和处理方法等，改进了斜面部分的蚀刻工艺。       通过提高晶圆定位的度，可以在距离端面1～3mm的范围内以0.1mm单位控制蚀刻宽度。由于蚀刻的宽度便于更改，因此还能够灵活应对规格所容许的晶圆直径偏差。同时，通过进一步追求晶圆处理的均匀性，可提高每片晶圆的生产效率以及蚀刻工序的成品率。 　　DScreen简介： 　　DScreen制造株式会社从事制造及销售电子设备和

plasma etching 4

Plasma processing. Advantages and disadvantages compared to wet etching. Lithography process. Overview of oxygen plasma etching. Qualitative description of Debye shielding. Description of glow discharge. Reactive ion etching versus plasma etching. RF matching.

plasma etching 3

Plasma processing. Advantages and disadvantages compared to wet etching. Lithography process. Overview of oxygen plasma etching. Qualitative description of Debye shielding. Description of glow discharge. Reactive ion etching versus plasma etching. RF matching.

图形刻蚀技术 (Etching Technology)

虽然，光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，但因为这两个工艺只有连续进行，才能完成真正意义上的图形转移。在工艺线上，这两个工艺是放在同一工序，因此，有时也将这两个工艺步骤统称为光刻。 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，它刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄

基于全湿法蚀刻技术的基于SU-8的光电开关的制造

采用全湿法刻蚀Craft.io设计并制造了具有倒肋式波导结构的高分子分散红1（DR1）/ SU-8电光（EO）开关。客体-EO EO材料DR1 / SU-8已成功合成，并详细表征了其光学性能。 DR1 / SU-8材料具有较低的加工成本，出色的光稳定性和15.4 pm / V的大EO系数。仔细设计和模拟了倒肋波导和共面波导电极的特征参数。通过全湿蚀刻Craft.io，成功制造出了优化的Mach-Zehnder干涉仪开关，其光纤间的插入损耗更低，为9.6 dB。开关上升时间和下降时间分别为322 ns和294 ns。

手机PCB制作流程国产手机

PCB纸板指手机SMT中制作过程PCB制造流程及說明　上述三種較常使用增層法中之非機鑽孔式除表20.1的比較外，圖20.7以圖示，三種盲孔製程應可一目了然。濕式化學蝕孔（Chemical Etching）則不在此做介紹。圖20.8以之立體圖示各種成孔方式，可供參考。

论文研究-干刻蚀对于不同负载效应造成选择比差异导致的缺陷分析与解决方案 .pdf

干刻蚀对于不同负载效应造成选择比差异导致的缺陷分析与解决方案，赵弘鑫，程秀兰，在半导体制造工艺的干法刻蚀（Dry Etching）中，对于刻蚀薄膜表面面积大小的差异性会造成负载效应（Loading effect）。然而这种负载效应��

Surface Modification of Macroporous SiO2-TiO2 Ceramic Foams via HF-etching and the Application in the Hydrogenation of Commercial Polystyrene

SiO2-TiO2复合泡沫陶瓷的表面蚀刻及其在聚苯乙烯加氢中的应用，韩凯悦，郭文泽，聚苯乙烯(PS)催化加氢制备氢化聚苯乙烯，又称作聚环己烷基乙烯，是一种重要的聚合物改性方法，可以提高PS的热稳定性以及光学稳定性

etch-a-sketch:奥丁项目课程的蚀刻素描项目-源码

3/1/21 这是我今天开始的The Odin Project的另一个项目。 该项目的目标是在Web浏览器中进行类似于“素描”的操作。 将有一个方形容器div，其中填充并包含相等大小的方形div的行和列。 目的是做到这一点，以便当光标在div上移动时，颜色会改变，就像您在etch-a-sketch上绘制一样。 最初，我可能只会将其变为黑色，然后将添加用于随机颜色的功能，而且还将使自定义可用于着色的div数量成为可能。范围可能是10x10到​​100x100。 我期待学习该项目所需的一切。

Reduction of Reactive-Ion Etching-Induced Ge Surface Roughness by SF6/CF4 Cyclic Etching for Ge Fin Fabrication

Reduction of Reactive-Ion Etching-Induced Ge Surface Roughness by SF6/CF4 Cyclic Etching for Ge Fin Fabrication

High-Performance Normally-Off Al2O3/GaN MOSFET Using a Wet Etching-Based Gate Recess Technique

High-Performance Normally-Off Al2O3/GaN MOSFET Using a Wet Etching-Based Gate Recess Technique

电感耦合等离子体蚀刻以制造用于聚合物波导生物传感器应用的感测窗

集成的聚合物波导生物传感器通常用于检测化学/生物样品。 为了提高传统的仅具有一个感测表面的波导传感器的灵敏度，我们基于电感耦合等离子体刻蚀方法设计并制造了具有三个感测表面的改进的感测窗，在理论上其灵敏度可以提高2.8倍。 系统研究了刻蚀参数的影响，尤其是天线功率，偏置功率和氧气流速的影响，并对刻蚀参数进行了优化，以制作出感应窗。 在这种最佳刻蚀条件下，制造了具有改进的感测窗的单模平衡马赫曾德尔干涉仪波导生物传感器，其灵敏度高于传统感测窗的传感器。 这种类型的感测窗口在聚合物波导生物传感器设备中将非常有用。

论文研究-Control technology of pore dimension in the photo-electrochemical etching for high aspect ratios macroporous silicon arrays.pdf

高长径比宏孔硅阵列光电化学腐蚀中孔径控制技术，王国政，王蓟，高长径比宏孔硅阵列（MSA）在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔，引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构，本文开�

半導體名詞解懌--半导体基础知识

ADI顯影後檢查 After Developing Inspection之縮寫 目的：檢查黃光室製程;光阻覆蓋®對準®曝光弓顯影。發現缺點後，如覆蓋不良、顯影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以維產品良率、品質。 方法：利用目檢、顯微鏡為之。 AEI蝕刻後檢查 1. AEI 即After Etching Inspection，在蝕刻製程光阻去除、前反光阻去除後，分別對產品實施主檢或抽樣檢查。 2. AEI之目的有四： 2-1提高產品良率，避免不良品外流。 2-2達到品質的一致性和製程之重複性。 2-3顯示製程能力之指標。 2-4防止異常擴大，節省成本 3. 通常AEI檢查出來之不良品，非必要時很少做修改。因為重去氧化層或重長氧化層可能造成元件特性改變可靠性變差、缺點密度增加。生產成本增高，以及良率降低之缺點。 Air Shower空氣洗塵室 進入潔淨室之前，須穿無塵衣，因在外面更衣室之故﹒無塵衣上沽著塵埃，故進潔淨室之前﹒須經空氣噴洗機將塵埃吹掉。

Emission Properties of Porous Silicon Electron Emitters Formed by Pulsed Anodic Etching

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Reduction of Dislocation Density of SiC Crystals grown on Seeds After H2 etching

Reduction of Dislocation Density of SiC Crystals grown on Seeds After H2 etching