ADI推出0.6μm耐高压工艺技术“iCMOS”

所需积分/C币:10 2020-11-26 17:37:58 50KB PDF
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美国模拟器件公司(ADI)前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。   此前,生产可承受30V高压的模拟IC芯片,需要采用设计规格为1μm~3μm的Bipolar-CMOS技术。而采用此次的iCMOS工艺技术,与此前相比可减少耗电、减小芯片面积,还可实现高速运行等。因为具有以上优良性能,ADI计划在面向产业设备和医疗设备的模拟IC生产领域,全面推进由此前的Bipolar-CMOS技术向iCMOS工艺技术的过渡。   还同时宣布采用该技术生产15种产品   该公司在

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weixin_38647925 你的留言是对我莫大的支持
2020-11-26
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