功率半导体行业报告

VIP专享 2021-03-26 11:25:57 1.81MB PDF
4
收藏 收藏
举报

对于半导体器件而言,其关键性质是在一定温度区间内,电导率可以通过掺杂手段加以控制。对于电中性 的 IV 主族、III-V 主族半导体等而言,进行 V 主族元素掺杂,会增加电子作为多数载流子,形成施主能级,并 获得 N 型半导体;进行 III 主族元素掺杂,会增加空穴作为多数载流子,形成受主能级,并获得 P 型半导体。半导体功能的实现受到基体材料理化性质的限制。 首先,基体材料需要有一个较宽的能隙,以确保在没有掺杂的情况下,本征载流子浓度低于最轻掺杂区掺 杂浓度的温度上限较高,且临界击穿场强较高;能隙也不应过宽,致使自建电势和门槛电压过高。 其次,基体材料在禁带中的能级应尽可能少,使得阻断电压高

...展开详情
试读 30P 功率半导体行业报告
立即下载
限时抽奖 低至0.43元/次
身份认证后 购VIP低至7折
一个资源只可评论一次,评论内容不能少于5个字
您会向同学/朋友/同事推荐我们的CSDN下载吗?
谢谢参与!您的真实评价是我们改进的动力~
  • 至尊王者

关注 私信
上传资源赚钱or赚积分
最新推荐
功率半导体行业报告 (VIP专享) VIP下载
1/30
功率半导体行业报告第1页
功率半导体行业报告第2页
功率半导体行业报告第3页
功率半导体行业报告第4页
功率半导体行业报告第5页
功率半导体行业报告第6页

试读结束, 可继续读3页

(VIP专享) VIP下载