TLP应力下gg-NMOS瞬态特性分析 (2008年)

采用TCADSentaurus模拟分析了gg-NMOS在TLP应力下的瞬态特性。包括NMOS的栅长，栅氧化层厚度，栅宽及TLP电流大小对ESD保护器件开启特性的影响。分析表明，器件栅长增加，栅氧变厚，栅宽变宽都使得漏端过冲电压增大，达到这一电压所需时间变长。对于相同上升时间的TLP脉冲，大电流则对应短的上升时间和高的过冲电压。该工作为以后高响应速度ESD保护器件设计提供依据和参考。