论文研究 -

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我们报告了从头开始,自洽密度泛函理论(DFT)计算的六方C40晶体结构中二硅化铬(CrSi2)的电子,输运和相关特性的结果。 我们的计算利用了Ceperley和Alder局部密度近似(LDA)势以及原子轨道(LCAO)形式主义的线性组合。 根据第二个DFT定理的要求,我们的计算将占用的能量最小化,远远超出了使用单个基集的自洽迭代获得的最小化能量。 我们在室温下计算出的间接带隙为0.313 eV(使​​用a = 4.4276和c = 6.368的实验晶格常数)。 我们讨论了能带,状态的总和部分密度以及电子和空穴的有效质量。 这项工作的部分资金来自美国能源部,国家核安全局(NNSA)(奖号DE-N

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2020-05-24
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