电源设计DC/DC开关控制器的MOSFET选择

所需积分/C币:12 2020-07-13 12:12:00 182KB PDF
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DC/DC开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中,这种情况会变得更加复杂。 图 1—降压同步开关稳压器原理图DC/DC 开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如,同时拥有一个高侧 FET和低侧 FET 的降压同步开关稳压器,如图 1 所示。这两个 FET 会根据控制器设置的占空比进行开关操作,旨在达到理想的输出电压。降压稳压器的占空比方程式如下:1) 占空比 (高侧FET,上管) = Vout/(Vin*效率)2) 占空比 (低侧FET,下管) = 1 – DC (高侧FET)FET 可能会集成到与控制器一样的同一块芯片中,从而实现一种最为简单的解决方案。但是,为了提供高电流能力及(或)达到更高效率,FET 需要始终为控制器的外部元件。这样便可以实现最大散热能力,因为它让FET物理隔离于控制器,并且拥有最大的 FET 选择灵活性。它的缺点是 FET 选择过程更加复杂,原因是要考虑

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2020-07-13
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