元器件应用中的变阻二极管的检测方法

用万用表R×1 kΩ 档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为4.5～6 kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。  来源:COCO

元器件应用中的怎样检测光敏二极管

检测光敏二极管，可用万用表Rx1k电阻档。当没有光照射在光敏二极管时，它和普通的二极管一样，具有单向导电作用。正向电阻为8-9kΩ，反向电阻大于5MΩ。如果不知道光敏二极管的正负极，可用测量普通二极管正、负极的办法来确定，当测正向咆阻时，黑表笔接的就是光敏二极管的正极。 　　当光敏二极管处在反向连接时，即万用表红表笔接光敏二极管正极，黑表笔接光敏二极管负极，此时电阻应接近无穷大(无光照射时)，当用光照射到光敏二极管上时，万用表的表针应大幅度问右偏转，当光很强时，表针会打到0刻度石边。 　　当测量带环极的光敏二极管时(见图1)，环极和后极(正极)也相当一个光敏二极管，其性能也具有单向导电作用

元器件应用中的双向触发二极管结构、特点与应用

在电子镇流器、电子调光等电路中时常可以见到双向触发二极管元件。双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的，常用来触发双向晶闸管。 　　双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性如图1所示。它是三层、对称性质的二端半导体器件，等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称。　　当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时，呈高阻态;当 U>Ubo 时进入负阻区。同样，当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时，管子也能进入负阻区。　　转折电压的对称性用△Ub表示　　△Ub=Ubo-|Ubr|　　一般要求 △Ub<2U。 双向触发二极管的耐压值 Ubo 大致分三个等级：　　20

元器件应用中的跨阻放大器须知——第1部分

跨阻放大器（TIA）是光学传感器（如光电二极管）的前端放大器，用于将传感器的输出电流转换为电压。跨阻放大器的概念很简单，即运算放大器（op amp）两端的反馈电阻（RF）使用欧姆定律VOUT= I × RF 将电流（I）转换为电压（VOUT）。在这一系列博文中，我将介绍如何补偿TIA，及如何优化其噪声性能。关于TIA带宽、稳定性和噪声等关键参数的定量分析，请参见标题为“用于高速放大器的跨阻抗注意事项”的应用注释。 　　在实际电路中，寄生电容会与反馈电阻交互，在放大器的回路增益响应中形成不必要的极点和零点。寄生输入和反馈电容的最常见来源包括光电二极管电容（CD）、运算放大器的共模（C

元器件应用中的稳压二极管基础知识

稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压. 稳压管的应用: 　　1、浪涌保护电路(如图2):稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二极管都可以得到,故对于这种应用特别适宜.图中的稳压二极管D是作为过压保护器件.只要

（共7个部分，请看资源描述！）昆仑通态6.2 MCGS组态软件（part6）

昆仑通态 6.2 MCGS 组态软件 ，希望大家喜欢 part1 http://download.csdn.net/source/1796398 part2 http://download.csdn.net/source/1796504 part3 http://download.csdn.net/source/1796920 part4 http://download.csdn.net/source/1796566 part5 http://download.csdn.net/source/1796937 part6 http://download.csdn.net/source/1796965 part7 http://download.csdn.net/source/1796906

元器件应用中的双向触发二极管的结构与特性

双向触发二极管由硅NPN三层结构组成，它是一个具有对称性的半导体二极管器件，可等效为基极开路、集电极与发射极对称的NPN半导体三极管，如图一所示。 　　双向触发二极管的伏安特性曲线如图二所示，其正向和反向具有相同负阻特性。当双向触发二极管两端所加电压V低于正向转折电压VBO时，器件呈高阻状态。当外加电压升高到VBO时，器件击穿导通，由高阻转为低阻进人负阻区。同样，当所加电压大于反向转折电压－UBO时，器件也会击穿导通迸人负阻区。有时又把转折电压称为穿通电压或击穿电压。转折电压的对称性用正负转折电压的绝对值之差表示。特性曲线中的△V为动态回转电压，IB为漏电流，IBO为转折电流，IF为正向电流

元器件应用中的开关二极管的特性

由于半导体二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧;在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅二极管在10MΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。　　　　开关二极管就是为在电路上进"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间;从导通到截止的时司叫反向恢复时间;两个时司之和称为开关时间。一般反向恢复时司大于开通时司，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的，像硅开关二极

元器件应用中的采用PIN二极管解决宽带射频开关问题

昂贵的机械开关用于精准的测试仪器，例如矢量网络分析仪，被证明是适当的。不过，对于量产的消费类产品，如有线或卫星电视(CATV/SATV)发送系统，较低成本的电子开关则更合适些。这类开关基于晶体管或者PIN二极管。半导体开关没有移动部件，因此，较机械开关而言，它们具有更快的响应时间和更长的寿命范围。 　　PIN二极管通常被用在单刀单掷(SPST)和单刀多掷开关的切换单元。PIN二极管对于频率高于二极管截止频率(fc)10倍以上的信号，起到一个流控电阻的作用。 　　加上一正向偏置电流，PIN二极管结电阻Rj可以从高阻变为低阻，此外，PIN二极管既能用于串联开关模式，也能用于并联开关模式。串联开

元器件应用中的适用于大功率串联或并联的低热阻封装PIN二极管

Skyworks Solutions日前推出两款适用于 T/R 开关的大功率 (>20W) 串联或并联 PIN 二极管。 此外，这两款二极管均采用低热阻封装，从而成为大型信号开关和衰减器的理想部件。 　　这些串联和并联 PIN 二极管在保持小巧体积的同时具有极小的插入损耗、良好绝缘性、出色的功率处理和低失真特性。它们专为陆地移动无线电、军用电台、航空电子和基础通讯设施市场等商用、工业用和军用无线电通信系统的大批量应用而设计。   来源:candy

元器件应用中的用于宽范围光电二极管的跨阻抗放大器具有苛刻的要求

光电二极管广泛见诸于众多的应用，其用于把光转换为可在电子电路中使用的电流或电压。从太阳能电池到光数据网络、从高精度仪器到色层分析再到医疗成像等均在此类应用之列。所有这些应用都需要用于对光电二极管输出进行缓冲和调节的电路。对于那些需要高速和高动态范围的应用，通常采用如图 1 所示的跨阻抗放大器 (TIA) 电路。在图1中，反馈电容显示为一个寄生电容。对于许多应用来说，这是一个为确保稳定性而有意布设的电容器。 图1 跨阻抗放大器 　　该电路让光电二极管处于“光电导模式”，并在其负极上施加了一个偏置电压。两个运放输入之间的虚拟连接把正极保持在地电位，从而在该光电二极管的两端施加了一个恒定的反

元器件应用中的PIN二极管的动作阻抗的测定

使用阻抗分析器(HP 4194A)，测定实际的PIN二极管的特性。这里使用的阻抗分析器其内部具有偏置电源，所以在图1的电路中，可通过程序扫描正向电压VF动作电阻rd的特性，自动进行测定。 　　图1 二极管的动作阻抗测定(使用HP4194A的内藏装置) 　　动作电阻rd和正向电流IF的关系不是线性的，因IF的值为0～约10mA，所以电阻R为1kΩ。电容C是用于降低测定频率处的阻抗的旁路电容器。 　　图1是频率100k～10MHz时的VF-rd特性，出现了很大程度的弯曲。PIN二极管一般在VHF带(30MHz)以上的频率处使用，具有在数MHz以上也能够充分使用的特性。从图2上可知，f＝5

元器件应用中的【E课堂】你需要了解的跨阻放大器

跨阻放大器(TIA)是光学传感器(如光电二极管)的前端放大器，用于将传感器的输出电流转换为电压。跨阻放大器的概念很简单，即运算放大器(op amp)两端的反馈电阻(RF)使用欧姆定律VOUT= I × RF将电流(I)转换为电压(VOUT)。在这一系列博文中，我将介绍如何补偿TIA，及如何优化其噪声性能。对于TIA带宽、稳定性和噪声等关键参数的定量分析，请参见标题为“用于高速放大器的跨阻抗注意事项”的应用注释。 　　在实际电路中，寄生电容会与反馈电阻交互，在放大器的回路增益响应中形成不必要的极点和零点。寄生输入和反馈电容的最常见来源包括光电二极管电容(CD)、运算放大器的共模(CC

元器件应用中的带阻“行管”及带阻晶体管检测方法

1.带阻尼行输出管的检测 　　用万用表R×1 Ω 档，测量发射结（基极b 与发射极e 之间）的正、反向电阻值。正常的行输出管，其发射结的正、反向电阻值均较小，只有20～50 Ω。 　　用万用表R×1 kΩ 档，测量行输出管集电结（基极b 与集电极c 之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接基极b，红表笔接集电极c）为3～10 kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为0 或均为无穷大，则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。 　　用万用表R×1 kΩ 档，测量行输出管c、e 极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小（6～7 kΩ），反向电阻值为无穷大。若

元器件应用中的热敏、光敏特性演示器 (二)

本例介绍一款采用分立元器件制作的热敏、光敏特性演示器，它能直观地演示半导体材料的热敏特性和光敏特性。 电路工作原理该热敏、光敏特性演示器电路由晶体管V1-V6、二极管VDl-VD5、发光二极管VLl-VL6、电阻器RO-R6、电位器RPl、RP2、电池GB和热敏元器件 (热敏电阻器RT或锗材料晶体管Vol），光敏元器件 (光敏电阻器RG或光敏晶体管VO2)组成，如图2-30所示。          图2-30热敏、光敏特性演示器电路(二) 用于半导体热敏特性演示时，可在A、B两端接上热敏电阻器RT或晶体管VOl(不使用RPl)。此时RT和V01处于高阻状态，Vl-V6处于截止状态，V

元器件应用中的正确使用MOS 集成电路

所有　ＭＯＳ　集成电路　（包括　Ｐ　沟道　ＭＯＳ，　Ｎ　沟道　ＭＯＳ，　互补　ＭＯＳ　—　ＣＭＯＳ　集成电路）　都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是　２５ｎｍ　５０ｎｍ　８０ｎｍ　三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ＥＳＤ），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。　按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端　ＶＤＤ　ＧＮＤ　短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出现断续

元器件应用中的MOS 集成电路使用操作准则

所有　ＭＯＳ　集成电路　（包括　Ｐ　沟道　ＭＯＳ，　Ｎ　沟道　ＭＯＳ，　互补　ＭＯＳ　—　ＣＭＯＳ　集成电路）　都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是　２５ｎｍ　５０ｎｍ　８０ｎｍ　三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ＥＳＤ），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 　　按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端　ＶＤＤ　ＧＮＤ　短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出

元器件应用中的怎样正确使用MOS集成电路

所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端 VDD GND 短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出现断续

元器件应用中的三极管的极性如何判断

先用万用表电阻档（用高阻档，有9V的输出）测出三极管等效的二极管的共P(NPN)或共N(PNP)极，然后将使用万用表测N极间电阻（NPN），PNP则测P极间电阻。将手指涂上点口水，呃就是唾液，将共P极和其中1个N极放在手指湿处，再测2个N极间电阻，一定要用正极表笔对着湿手指上的那个N极，看电阻是否变小，变小了就说明那个N极是集电极，共P为控制极，剩下就是发射极了。如果测出电阻没有大的变化，将三极管反个方向再测肯定就是了。如果是PNP管则需要将负极表笔放在湿手指的一端。   　　一般的指针式万用表黑笔是正极，红笔是负极，数字表大体一致。   　　湿手指的作用是在N极和P极之间构成一个电阻，万用表