抛光轨迹仿真

抛光轨迹仿真，列出轨迹方程及代码，后续还有轨迹密度分析

射流抛光误差分析与材料去除稳定性研究

研究了射流抛光材料去除面形不呈理想的对称形和重复抛光材料去除量的波动不稳性，分析认为射流抛光过程稳定性和误差因素会影响材料去除的不稳定性。分析了射流系统的误差影响因素，其主要由压力波动、磨粒沉降作用和流体的紊动作用等部分组成，并研究了各误差影响因素的产生机理和对材料去除的影响。通过仿真和实验分析，得到压力波动、磨粒沉降作用和流体紊动作用的波动范围，构建了基于各误差的材料去除稳定性的完整表达式，理论计算误差范围与实验误差范围吻合。

多杆机构复合摆动轨迹抛光方法对光学元件中频误差的抑制

针对高功率激光系统中传统小工具抛光方式带来的较大中频误差影响高功率激光系统稳定性和可靠性的问题,提出了基于简谐运动的复合摆动轨迹抛光方法,并建立了数控多杆机构复合摆动轨迹抛光系统;根据小工具抛光基本原理可知,规则、有序的平转运动轨迹是引入中频误差的重要原因之一。为了提高生成去除函数轨迹的复杂性,提出了基于复合摆动轨迹的去除函数模型,研究了复合摆动轨迹抛光的基本过程和离散化计算方法;选择合适的工艺参数和去除函数轨迹,进行了基于复合摆动轨迹的去除函数与基于传统平转运动的去除函数的对比加工实验。结果表明:通过干涉仪测量可知,复合摆动轨迹加工方法得到的面形干涉条纹比平转运动的更光顺,且无毛刺;在50 mm×50 mm范围内,复合摆动轨迹加工面形的功率谱密度曲线低于平转运动的功率谱密度曲线,整体加工效果优于传统平转运动;基于复合摆动轨迹的数控多杆抛光系统相对于传统平转工艺能有效抑制中频误差。

论文研究 - 在半导体故障分析中实施智能抛光的关键问题

“工业4.0”已经成为制造业的未来方向。 为进行此升级做准备，研究半导体故障分析的自动化很重要。 在本文中，研究了将样品抛光活动升级为智能抛光工艺的方法。 在实施智能抛光过程中发现了两个主要问题：优化当前抛光配方以及基于实时反馈做出决策的能力。 借助Solver插件，对当前的抛光配方进行了优化。 为了基于抛光过程中捕获的实时图像做出决策，基于手指抛光过程的研究探索了各种策略。 我们的研究表明，可以使用图像上的灰度线轮廓分析来构建我们的智能抛光系统的视觉功能，并据此开发决策能力。

集群磁流变效应微磨头抛光盘的仿真分析及结构优化

集群磁流变效应微磨头抛光盘的仿真分析及结构优化，阎秋生，汤爱军，本文提出了集群磁流变效应微磨头抛光盘无抛光垫抛光加工的新工艺方案，推导了磁流变抛光液的基本磁化曲线并得出其基本磁化曲线为

超声波磁流变复合抛光实验研究

超声波磁流变复合抛光实验研究，于兴滨，张勇，受抛光工具尺寸等条件的限制，现有光学加工方法大多难以对小曲率半径的凹曲面进行抛光加工。超声波磁流变复合抛光技术是针对具有

论文研究 - 前囊抛光对需要进行激光切囊术的影响

目的：根据激光后囊切开术的需要，确定前囊抛光（APC）对后囊混浊（PCO）率的影响。 地点：大学临床实践，美国加利福尼亚州洛杉矶的朱尔斯·斯坦眼科研究所。 方法：本研究回顾性回顾了从1991年9月至1999年6月进行超声乳化和人工晶状体植入术的眼睛。使用一对Shepherd从前囊的内表面机械清创或抛光了763眼研究对象的晶状体上皮细胞-Rentsch（Morning STAAR Inc.）胶囊抛光机。 该系列中较早进行过手术的484只对照眼未打磨。 使用Kaplan-Meier生存分析比较ACP组和非ACP组的激光囊切开术的比率。 进行了多元回归分析，以确定ACP以外的其他变量是否影响了对激光后囊切开术的需求。 结果：我们确定了763眼具有ACP的眼睛和484眼没有ACP。 在24个月的随访间隔中，ACP组中有26.6％的眼睛接受了切囊手术，而非APC组中有19.50％的眼睛接受了切囊手术。 接下来，以患者为分析单位，每位患者仅用一只眼睛进行另一项研究。 同样，ACP组的囊切开术率高于非ACP组（每100人月随访1.02例，而每100人月随访0.74例）。 最后，对52例患者进行了第三

低压力下碱性抛光液平坦化的研究

　　　随着微电子技术发展到了65nm及其以下技术节点，金属铜由于其优良的特性取代了传统工艺中所用到的铝，本课题就是基于此基础上对多层铜布线的晶片进行CMP抛光的研究。 　　　新的集成电路制造材料引入了多孔结构的低K介质，使得晶片的耐压力变小，须采用低压力完成平坦化。又因为现在国际主流的酸性抛光液逐渐暴露出诸多弊病，而新兴起的碱性抛光液又不仅能克服这些缺点，还有价格低廉等能够成为通用抛光液的潜质优点，所以当下抓紧研究低压力下碱性抛光液显得势在必行。 　　　本文对CMP过程中各项抛光工艺和抛光液配比进行了实验研究。通过对比实验，研究得出在静态条件下3inch铜的平均腐蚀速率是相当低的，仅为56Å/min，与之对应的3inch铜在低压力下碱性环境的CMP抛光去除速率就高很多，可以达到4000Å/min左右，从而证明了低压力下碱性抛光液平坦化的可实施性；通过改变抛光工艺和抛光液单一变量的实验，分析整合了实验结论和规律，最终得出，适合碱性抛光液的最佳低压力为2psi；抛头/抛盘转速55rpm/60rpm；流量为150ml/min；磨料浓度500ml/L；氧化剂浓度30ml/L；FA/O V螯合剂浓度30ml/L；在此抛光条件下铜的去除速率为：4629Å/min；平坦化效果中的剩余高低差为：3376Å当初始高低差为12037Å时。

协作式七自由度抛光机器人的运动学研究

协作式七自由度抛光机器人的运动学研究，吕俊飞，刘平安，采用D-H法对协作式七自由度抛光机器人进行运动学分析，以基座坐标系作为作为基坐标系建立连杆坐标系,建立了抛光头中心相对于工作�

酸性矿井水对K2灰岩表面形貌影响的试验研究

本文以晋城地区 15#煤层直接顶板 K2 灰岩作为研究对象，对其进行了酸性矿井水侵蚀作用，采用表面形貌仪对酸性矿井水作用前后的 K2 灰岩抛光面的表面形貌进行了粒度和粗糙度表征，基于酸性矿井水对 K2 灰岩表面形貌的影响进行了 分析。结果表明：在酸性矿井水的作用下，K2 灰岩抛光面颗粒粒径颗粒数最大值呈减小趋势；酸性矿井水作用对抛光面表 面粗糙度中的轮廓均方根偏差 Rq 和轮廓平均高度 Rc 影响较小，对峰高度 Rp、谷深度 Rv 和轮廓最大高度 Rz 影响较大；酸性矿井水对 K2 灰岩抛光面表面形貌影响的主要原因是化学反应生成 CaSO4和 CO2气体，侵蚀其抛光面。

单晶碳化硅晶片半固着磨粒柔性抛光工艺研究

单晶碳化硅晶片半固着磨粒柔性抛光工艺研究，罗求发，陆静，针对游离磨料加工单晶碳化硅晶片中存在的加工效率低、磨料易团聚、抛光废液污染环境等突出问题，提出采用磨料半固着的柔性抛光工

化学机械抛光中晶圆/抛光垫表面接触分析

化学机械抛光中晶圆/抛光垫表面接触分析，杜诗文，蒋名国，基于接触力学和流体动力学理论分析了抛光过程中的摩擦学行为，建立了简化的化学机械抛光过程中的有限元模型。通过工艺参数、材料

论文研究 - 抛光程序对临时修复材料的粗糙度和细菌粘附力的影响

临时修复材料要暴露在表面生物膜上产生的口腔中，其中诸如表面粗糙度和孔隙率等不同因素可以调节其形成和组织，并可以形成停滞区域，促进有机颗粒的结合，从而促进其形成和成熟。生物膜。 这项研究的目的是比较两种假体修复材料的表面粗糙度及其细菌敏感性。 在这项研究中，将两种临时修复材料分为两组，一种是聚甲基丙烯酸甲酯丙烯酸酯（NicTone MDC DENTAL），另一种是双丙烯酸树脂（Protemp 4 ESPE 3M）。 总共80个样品（每种材料40个样品）放在10×10 mm高2 mm的厚板上。 每种材料的20个样品被抛光，而20个未抛光。 随后，通过原子力显微镜观察样品以评估其表面粗糙度。 用t检验，Mann-Whitney U检验和Kruskal Wallis检验分析这些值。 将样品用从患者的临时聚甲基丙烯酸甲酯丙烯酸修复物中获得和鉴定的菌株进行微生物接种，以便使用扫描电子显微镜观察细菌粘附。 鉴定了两个菌株，即粪肠球菌和卢氏假单胞菌。 在两种材料的表面上都观察到了微生物的存在，无论是抛光的还是未抛光的，在双丙烯酸树脂上发现的微生物附着水平都较低。 A组和B组的表面粗糙度有显着差异，p

影响激光抛光效果的因素分析

激光抛光是一种非接触式抛光方法。分析了影响激光抛光效率和抛光表面质量的因素及其影响规律, 并提出激光抛光工艺参数的选择原则。激光抛光过程中, 激光能量密度、激光波长、激光脉宽、激光光束入射角、激光光束扫描速度、扫描方式、工件材料性质和结构等因素对激光抛光效果有着重要影响。激光波长决定着材料的去除方式, 从而对抛光表面质量有着较大影响；激光的能量密度与辐照时间对激光抛光效果的影响最大, 而激光脉宽、激光光束扫描速度和扫描方式三个因素决定着激光的辐照时间, 激光扫描速度和光束扫描方式还影响着激光辐照光斑重叠情况, 从而影响激光抛光效果。

射流抛光中抛光液黏度对材料去除函数的影响

抛光液黏度是影响射流抛光(FJP)效果的重要因素，针对硬脆光学元件射流抛光中对抛光液黏度缺乏系统研究的现状，研究了抛光液黏度变化对材料去除函数的影响。建立射流抛光连续相、离散相模型和磨损模型，计算不同黏度下磨粒运动轨迹，分析磨料颗粒撞击速度矢量随黏度的变化规律。配置不同黏度相同质量分数的抛光液，结合BK7工件静态采斑实验研究与塑性磨损理论计算，获得不同黏度下的材料去除函数，分析黏度对去除函数的影响机制，并进一步研究由此引起的工件表面粗糙度变化。结果表明：随着抛光液黏度增大，材料去除函数的去除深度减小、去除形状及去除范围保持不变，这有利于降低工件表面粗糙度。该研究扩展了现有光学元件射流抛光材料去除理论，对实际抛光液黏度调控具有理论指导意义。

迈克耳孙干涉仪中的镜面面形误差研究分析

从迈克耳孙干涉仪干涉原理出发，分析了圆形镜面抛光面形误差对干涉调制度的影响。由于存在镜面面形误差，干涉调制度不能达到理想情况下的100%，但其干涉调制度不能低于理想情况下的90%。通过分析和讨论，镜面面形误差最好控制在λ/14 以内，干涉调制度才可能不低于90%，这样干涉仪才能保持比较满意的性能。同时，使用Zygo干涉仪对5组平面镜的平面度进行了测量，得到了这5组平面镜的峰-峰值和其他一些参数，通过分析测量结果，这5组平面镜的平面度都能达到干涉调制度的要求。通过对迈克耳孙干涉仪中平面镜面形误差的研究，这对于干涉光谱仪的设计、研制和性能的分析都具有一定的指导意义。

基于BP神经网络的磨料水射流抛光质量研究

针对磨料水射流抛光质量与各工艺参数间,因复杂的非线性关系而无法用传统的数学方法建模的问题,基于BP神经网络理论,建立了磨料水射流抛光BP神经网络模型。以磨料水射流抛光铝合金轮毂为例,在考虑磨料浓度、入射角度、射流压力、靶距、横移速度5个工艺参数的情况下,通过正交实验收集27组样本数据,对样本数据进行方差分析和F检验,获得各工艺参数对表面粗糙度值影响的强弱,从而确定网络模型的输入参数为磨料浓度、靶距、横移速度与表面粗糙度,输出参数入射角度、射流压力,并将样本数据用于网络模型的训练和检测。在网络模型预测的入射角度与射流压力下进行抛光实验,测得铝合金轮毂表面粗糙度的实际值与实验值之间的相对误差最小为0.92%,最大为2.89%。结果表明:该网络模型能快速、准确地预测入射角度与射流压力,实现对抛光质量的间接控制。

论文研究 - CdZnTe核探测器化学蚀刻和化学机械抛光的研究

碲化镉锌（CdZnTe）半导体可在室温下检测X射线和伽马射线而无需使用冷却系统。 化学刻蚀和化学机械抛光是在检测器器件制造过程中用于平滑CdZnTe晶片的工艺。 这些工艺减少了抛光晶片后留下的表面损伤。 在本文中，我们使用在过氧化氢和乙二醇混合物中的溴化氢溶液，比较了蚀刻和化学机械抛光对CdZnTe核探测器的影响。 X射线光电子能谱（XPS）用于监测晶片表面上的TeO2。 进行电流-电压和检测器响应测量以研究电性能和能量分辨率。 XPS结果表明，与化学机械抛光相比，化学蚀刻过程导致在探测器表面形成更多的TeO2。 检测器的电阻率约为1010Ω-cm。 化学机械抛光工艺比化学蚀刻工艺增加了更多的泄漏电流。 对于新近处理过的表面，与化学机械抛光相比，蚀刻工艺对能量分辨率更有害。

单晶太阳能电池双面抛光工艺研究

为了去除硅片表面损伤和脏污,提高单晶电池背钝化效果,采用KOH溶液对单晶原硅片进行了双面抛光。研究了刻蚀深度和金字塔尺寸的关系以及KOH质量分数、温度和反应时间对刻蚀深度和金字塔尺寸的影响。研究结果表明:金字塔尺寸随着刻蚀深度的增加而逐渐增大。随着刻蚀温度、时间的增加,溶液腐蚀速率加快,刻蚀深度和金子塔尺寸也有所提升。当KOH质量分数增加至35%时,刻蚀深度和金字塔尺寸反而有所下降。