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单片机与DSP中的安森美推出业界首款带集成ESD保护的共模扼流圈EMI滤波器
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2020-11-12
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高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出业界首款共模扼流圈及静电放电(ESD)保护集成电路(IC) ,应用于高速数据线路。 新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性,使这方案远优于典型的电磁干扰(EMI)滤波器及分立可选方案,同时有助显著减少元件数量。这器件让设计人员实现优异的滤波及保护性能,且节省空间及成本,并提高总体可靠性,非常适用于基于高速差分数据线路的广泛应用,包括USB 2.0、IEEE1394、低压差分信令(LVDS)、移动行业处理器接口(MIPI)
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款共模扼流圈及静电放电(ESD)保护集成电路(IC) ,应用于高速数据线路。 新的NUC2401MN结合了高带宽
差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性,使这方案远优于典型的电磁干扰(EMI)
滤波器及分立可选方案,同时有助显著减少元件数量。这器件让设计人员实现优异的滤波及保护性能,且节省
空间及成本,并提高总体可靠性,非常适用于基于高速差分数据线路的广泛应用,包括USB 2.0、IEEE1394、
低压差分信令(LVDS)、移动行业处理器接口(MIPI)
高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出业界首款共模扼流
圈及静电放电(ESD)保护集成电路(IC) ,应用于高速数据线路。
新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性,使这方案远优于
典型的电磁干扰(EMI)滤波器及分立可选方案,同时有助显著减少元件数量。这器件让设计人员实现优异的滤波及保护性能,
且节省空间及成本,并提高总体可靠性,非常适用于基于高速差分数据线路的广泛应用,包括USB 2.0、IEEE1394、低压差
分信令(LVDS)、移动行业处理器接口(MIPI)及移动显示数字接口(MDDI)。
安森美半导体保护及控制产品部总经理Gary Straker说:“安森美半导体以领先的高性能EMI滤波器产品而著
称,NUC2401是我们持续这领先优势的最新产品。这器件是我们完备产品系列中的首款,帮助客户将高带宽接口集成到手机
中,并最终能够传送源自移动服务提供商的最新高带宽内容。
NUC2401MN在尺寸仅为2.0 mm x 2.2 mm的DFN封装中集成了等同于5个分立元件的电路,结合共模EMI滤波及符合
IEC61000-4-2接触放电业界标准的±12千伏(kV) ESD保护。机器模型(MM)及人体模型(HBM) ESD额定值分别为1.6 kV及16
kV。这器件额定遵从1级湿敏等级 (MSL 1),工作温度范围为-40 ?C至85 ?C。
由于NUC2401MN是集成方案,帮助减少寄生电感,从而提供更出色的共模滤波。共模噪声消减的截止频率为40兆赫
(MHz),100 MHz及500 MHz频率时的典型共模阻抗分别为200欧姆(Ω)及500 Ω。这器件在5安培(A)峰值电流时,提供业界最
低的最大钳位电压,即10伏特(V),确保优异的ESD保护。最大峰值脉冲电流额定值为19 A。 NUC2401MN采用小巧的2.0
mm x 2.2 mm DFN8封装。
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