20 MHz～520 MHz宽带功率放大器的研制

新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料，具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性，在宽带功放的设计中被广泛使用。基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联，匹配电路为集中元件和分布元件混合，采用负反馈技术提高带宽，RC并联网络提高稳定性，设计了一款20 MHz～520 MHz的宽带功放。利用ADS软件对芯片模型和匹配电路进行优化仿真和实际调试，在20 MHz～520 MHz频段内，功放模块饱和输出功率大于9 W，增益大于29.5 dB，漏极效率高于40%，带内平坦度为±0.7 dB。