采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2(In3O2:Sn)半导体薄膜，通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征，研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明：所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构，其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响.当生长速率为4 nm/min时，In3O2:Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最高的可见光区平均透过率(86.4 %)和最大的优值因子(7.9×104 Ω-1・m-1)，其光电性能最好.同时采用Tauc公式计算了
