随着工艺技术朝着90纳米以下转移，为了确保硅片的一次成功和可接受的量产良品率，对模型，工具和设计流程都提出了与以往明显不同的要求。为了充分考虑在制造过程中影响良品率的因素，如化学金属处理(CMP)、次波长光刻效应以及工艺变化敏感度，必须建立新的器件和互连模型，并进一步细化现有的器件和互连模型，以便对现有的设计方法进行扩充，创建更为精确的参数提取方法。 因为制造工艺效应对硅片电学性能的影响越来越大，所以在IC开发的早期阶段，设计者就需要对可制造性设计(DFM)技术的应用给予更多的关注。半导体厂商已经意识到如果在产品前端开发时没有充分考虑到制造工艺效果，那么就会导致后端硅片生产失败，即便在最好
