为解决当前固态存储系统有效适应大规模数据高速存储的问题，以NAND Flash为存储介质，利用循环SRAM缓冲、多体存储阵列、交叉开关矩阵等技术实现了低速Flash芯片阵列构建的嵌入式高速数据存储机制．其中SRAM缓冲阵列采用了读写分组和循环管理，Flash阵列采用并行双总线架构、分组交叉编址和多级流水线技术，同时利用基于总线开关的交叉矩阵对两个阵列进行连接，提高了系统的读写带宽并增强了系统可扩展性．理论分析和仿真实验结果表明该存储机制能够有效适用于嵌入式大规模数据的存储，对Flash读写操作的最大加速比将近20倍，具有良好的数据访问性能．
