采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究 (2014年)

研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片。相对于Al-Al直接热压键合，该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案。采用直径为100 mm硅片，溅射一层500 nm厚度的Al层后，在N2气氛下进行450℃，30分钟退火，采用Ar等离子体清洗后，溅射一层500 nm厚度的Sn层。将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合，在真空中进行。键合时间为3分钟条件下，得到平均剪切强度为9．9 MPa，随着键合时间增加，剪切强度显著降低。