日本的半导体光激射器研究概况

1962年美国通用电气公司、国际商业机械公司、麻省理工学院等实验室在GaAs二极管上通以正向电流而获得了激光。日本各单位随即展开了研究。63年东芝首先获得了GaAs的激光、测定了其谱线，发现谱线随杂质的种类与浓度而改变，8400埃谱钱的半宽度在0.2埃以下。