抑制SiC MOSFET桥式电路串扰问题的驱动方法研究

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抑制SiC MOSFET桥式电路串扰问题的驱动方法研究,巴腾飞,李艳,高频桥式电路中的串扰现象,会造成SiC MOSFET的栅源极出现电压尖峰,导致开关管的误导通或栅源极击穿,限制了SiC MOSFT器件的应用。本�

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