改善硅基功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的工艺研究

依据功率晶体管电流放大倍数高低温变化率的实际电参数指标要求，利用TCAD半导体器件仿真软件和晶体管原理对其进行深入的分析。结果表明，针对较大测试电流、较高电流放大倍数的功率晶体管，在一定程度上降低发射区掺杂浓度、提高基区掺杂浓度可有效改善电流放大倍数的高低温变化率。并在一定的发射区表面浓度和基区表面浓度下，通过优化发射区结深和基区宽度可满足常温电流放大倍数的指标要求。结合仿真研究结果，通过实际流片，对关键的工艺进行工艺攻关。流片结果表明，采用降低发射区掺杂浓度并提高基区掺杂浓度的工艺方法，电流放大倍数高低温变化率得到有效改善，并能控制其他参数实测值满足设计要求。