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镨掺杂电子传输层高效率钙钛矿太阳能电池 评分

镨掺杂电子传输层高效率钙钛矿太阳能电池,马梓瑞,马瑞新,近来钙钛矿太阳能电池(PSC)发展迅速,得到了众多科研工作人员的广泛关注,高效率钙钛矿太阳能电池被认为是晶体硅太阳能电池最有

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镨掺杂电子传输层高效率钙钛矿太阳能电池

镨掺杂电子传输层高效率钙钛矿太阳能电池,马梓瑞,马瑞新,近来钙钛矿太阳能电池(PSC)发展迅速,得到了众多科研工作人员的广泛关注,高效率钙钛矿太阳能电池被认为是晶体硅太阳能电池最有

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掺杂材料分子模拟与计算 张培新

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exafs在掺杂分析中的应用

绝好的学习资料,这方面很少的。主要讲exafs技术在科研中的应用,很有价值的。

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Cu掺杂ZIF-67的简单制备和调控

Cu掺杂ZIF-67的简单制备和调控,袁尧,于然波,在室温下采用简单的共沉淀法制备了Cu掺杂的ZIF-67,通过选择原料中Co(NO3)2与Cu(NO3)2的比例,得到了不同Cu含量的CoxCu1-x-ZIFs。为了研究Cu掺�

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CuO掺杂对PMN-PZT陶瓷性能的影响

CuO掺杂对PMN-PZT陶瓷性能的影响,郑鹏,MUHAMMAD Adnanqaiser,采用传统固相烧结法制备了Pb0.92Sr0.06Ba0.02(Mg1/3Nb2/3)0.25Ti0.40Zr0.35O3+0.8wt%CuO(PMN-PZT:0.8wt%CuO)陶瓷,研究了陶瓷在850℃、900℃、950℃、1000℃、105

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有机电致发光器件中染料掺杂类型的研究

有机电致发光器件中染料掺杂类型的研究--材料导报

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稀土掺杂光纤激光器和放大器,第二版

清晰的描述了稀土掺杂光纤激光器、光纤放大器物理机制,结构图

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论文研究-反射式变掺杂GaAs光电阴极量子效率模型研究 .pdf

反射式变掺杂GaAs光电阴极量子效率模型研究,牛军,常本康,借助指数掺杂与均匀掺杂光电阴极的量子效率公式,提出了采用加权平均法表示的反射式变掺杂光电阴极量子效率理论模型。使用该模型

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vb远程唤醒简单实例(真正是简单实例没有别的功能和代码掺杂)

因为我也是一个新手,这也是论坛上找来的,网上下载的实例都掺杂了很多其他功能,这个对于新手来说简直是摸不着头脑,不知道自己要的是哪一段,这个只有纯的唤醒类模块 关键部分大家双击那个按钮看看代码就知道了,只有几句。

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2015---中国计量学院学报---铒掺杂二氧化钛制备及其光催化性能研究

2015---中国计量学院学报---铒掺杂二氧化钛制备及其光催化性能研究.caj

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论文研究-透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极光学性能和量子效率仿真研究 .pdf

透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极光学性能和量子效率仿真研究,冯琤,张益军,为了更好地了解影响透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极性能的因素,利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能函数,以及考虑窗口层光电

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论文研究-低能量高掺杂磷原子注入经快速热退火后的杂质分布影响因素研究 .pdf

低能量高掺杂磷原子注入经快速热退火后的杂质分布影响因素研究,王韡祺,黄其煜,在半导体器件中,提高开关速度和降低漏电流或已成为阻碍产业发展的一对无法调和的矛盾。然而半导体产业的蓬勃发展推动了器件制作

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电子商务模式-网站项目源码

一个日语环境下开发的网站项目源码,实际是电子商务模式,有信息发布、商品订购等基本功能DB_51aspx下为Sql2005数据库,附加即可里面掺杂了部分Vb.net的代码管理后台:/admin/login.aspx 登录帐号:test@51aspx.com 密码:51aspx 电信下载 本地下载

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电子技术课程(哈工大精品课程)

双极型三极管的符号在图的下方给出,发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且集电结面积大。基区要制造得很薄,其厚度一般在几个微米至几十个微米。

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电子显示 田民波 清华大学出版社

内容简介 本书主要包括电子显示的原理及发展概况、液晶显示器、等离子体显示器、电致发光显示器、荧光管显示器、场发射和场离子显示器、发光二极管显示器、布劳恩管显示器、立体显示器及特殊显示器、大屏幕显示器等内容,并涉及各类显示器的原理、结构、制造工艺及材料等多个方面。 本书适用于微电子、信息、电子元器件、计算机材料、化工、机械等各个领域的人员阅读,也可作为相关专业本科生、研究生的教材。 -------------------------------------------------------------------------------- 目录 《新材料及在高技术中

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模似电子——晶体二极管及应用电路 .ppt

一 半导体:其导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体具有某些特殊性质:如压敏热敏及掺杂特性, 导电能力改变。 二 半导体材料:用于制造半导体器件的材料。 半导体管又称晶体管。

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Theoretical analysis of the double-layer emitter with different doping concentrations for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells

a-Si:H/c-Si 晶硅异质结太阳电池的高-低掺杂双层发射极结构的模拟研究,黄海宾,高江,由不同掺杂浓度的双层a-Si:H薄膜构成的新型发射极结构用以改进a-Si:H/c-Si异质结太阳电池的性能。根据AFORS-HET软件模拟优化的结果,这种�

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硅集成电路工艺 期末考试题 答案(完整整理版)

化学气相沉积 物理气相沉积溅射镀膜蒸发镀膜2、扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么? 3、简述离子注入工艺中退火的主要作用。

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MOCVD生长GaN_Si单晶膜的研究.pdf

获得高质量n的型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVd系统生长GaN:Si单晶膜, 通过优化生长工艺, 获得了电子载流子浓度高达, 迁移率达· 的型 单晶膜并有效地抑制了中由深能级引起的黄带发射, 大大提高带边发光强度。研究结果还表 明随着掺杂量的增大, 单晶膜的电子载流子浓度增加, 迁移率下降, 光双晶衍射峰半高宽增大。 首次报道了随掺量增大, 单晶膜的生长速率显著下降的现象。

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日本某学院网站项目 .NET源码

一个日语环境下开发的网站项目源码,实际是电子商务模式,有信息发布、商品订购等基本功能 DB_51aspx下为Sql2005数据库,附加即可 里面掺杂了部分Vb.net的代码 管理后台:/admin/login.aspx 登录帐号:test@51aspx.com 密码:51aspx

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