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我们研究了中心对称性的实现与SU(N)Yang-Mills理论中对拓扑参数θ的依赖性之间的关系,并利用痕量变形作为调节中心对称性破裂的工具,该方法具有较小的压紧方向。 我们特别考虑SU(4)规范理论,该理论接受两个可能的独立变形,并首先研究其变形平面中的相图,其中两个反向压缩半径值达到L-1〜 500 MeV,将Polyakov回路的有效单回路电势预测与晶格结果进行比较。 然后,通过数值模拟解决各个相位的θ依赖性,直至θ的四阶。 结果发现,在统计误差范围内,结果与标准受限相位的iff中心对称性完全吻合,并且与发生这种情况的特定方式无关,即通过局部抑制Polyakov环路迹线或通过长距离无序。
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