元器件应用中的集成硅基光发射概念器

与以往的砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等化合物材料的分立元件集成芯片不同，与标准微电子工艺兼容的硅基光电子集成回路需要在硅衬底上实现光发射器、光波导/调制器、光电探测器及驱动电路和接收器电路的单片集成。其中，硅基光发射器件与驱动电路的单片集成是一项关键的研究内容，涉及工艺选择、集成技术、工作机理、器件可靠性等各方面的工作。同时，还需要考虑同光波导的耦合技术与工艺，考虑同光波导、接收器等各部分实现单片集成的技术与工艺等多方面的问题。 　　一个基本的硅基发射器包括一个光发射器件及其驱动电路。光发射器件可以是发光二极管（LED）或激光二极管（LD）。作为半导体器件，它们都具有下列优点：