电源技术中的分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响

所需积分/C币:10 2020-10-22 13:09:14 222KB PDF
0
收藏 收藏
举报

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。   功率MOS管的导通电阻具有正温度系数,能够自动均流,因此可以并联工作。从MOSFET数据表的传输特性可以看到,25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一个交点,此交点的VGS为转折电压。在VGS转折电压以下的部分,RDS(ON)为负温度系数;而在VGS

...展开详情
立即下载 低至0.43元/次 身份认证VIP会员低至7折
抢沙发
一个资源只可评论一次,评论内容不能少于5个字
weixin_38546308 欢迎大家使用并留下宝贵意见
2020-10-22
  • 分享王者

    成功上传51个资源即可获取
关注 私信 TA的资源
上传资源赚积分or赚钱
    最新推荐