分子束外延生长InPBi薄膜的结构和光学表征

InPBi薄膜是通过气源分子束外延在InP上生长的。 通过卢瑟福反向散射光谱法确定最大Bi组成为2.4％。 X射线衍射测量表明，Bi含量高达1.4％时具有良好的结构质量，Bi含量较高时具有部分松弛的结构。 通过光吸收来测量带隙，并且估计由于Bi掺入引起的带隙减小为约56meV / Bi％。 对于x（Bi）<2.4％的样品，在室温下观察到强而宽的光致发光信号。 PL峰的位置在1.4至1.9μm之间变化，远低于测得的InPBi带隙。