论文研究 - 用于红外检测的针锗器件的模型开发

与用于红外检测的III-V组材料相比，锗具有许多优势。 最重要的是，锗与互补金属氧化物半导体（CMOS）制造兼容，可以制造低成本，高通量的器件，并且不需要像许多III-V器件一样需要冷却。 由于锗直接沉积在硅上，由于两种材料之间的热膨胀系数不同，会产生热致应变。 当存在双轴拉伸应变时，锗的直接带隙降低至〜0.77 eV，并且能够吸收更长的波长。 我们已经使用了两步沉积工艺来创建应变锗膜，以便制造光电探测器。 我们的设备在1570 nm波长处的暗电流为1.35 nA，光电流为22.5 nA。 接下来，我们开发了一个模型，以便将理论结果与实验结果进行比较。 结果表明该模型与我们的实测数据非常吻合，因此我们能够使用它来对未来的设备进行建模。